Návrh napěťové reference v technologii ONSemi I3T

Loading...
Thumbnail Image

Date

Authors

Pěček, Lukáš

Mark

A

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií

ORCID

Abstract

Napěťové reference tvoří základní součást většiny integrovaných obvodů. Cílem této práce je popsat jejich princip a v technologii ONSemi I3T25 navrhnout kompletní obvod reference včetně layoutu. Byla navržena bandgap napěťová reference s výstupním napětím 1,25 V a s předstabilizací napětí. Pro zvýšení přesnosti byl použit pětibitový trimovací obvod.
Voltage references form an essential part of most integrated circuits. The aim of this thesis is to describe their principle and design complete circuit including layout in ONSemi I3T technology. Bandgap voltage reference with 1,25 V out-put and with preregulator was designed. Five-bit trimming circuit was used to increase accuracy.

Description

Citation

PĚČEK, L. Návrh napěťové reference v technologii ONSemi I3T [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2015.

Document type

Document version

Date of access to the full text

Language of document

cs

Study field

Mikroelektronika a technologie

Comittee

prof. Ing. Vladislav Musil, CSc. (předseda) Ing. Boleslav Psota, Ph.D. (místopředseda) Ing. Marek Bohrn, Ph.D. (člen) doc. Ing. Ladislav Hulenyi, CSc. (člen) Ing. Ondřej Hégr, Ph.D. (člen)

Date of acceptance

2015-06-15

Defence

Student seznámil státní závěrečnou komisi s cílem a řešením své bakalářské práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta. Otázky v diskuzi: Co znamená trimování?

Result of defence

práce byla úspěšně obhájena

DOI

Collections

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By

Citace PRO