Tenké vrstvy polykrystalického křemíku

Simple item page
but.committeeprof. Ing. Jiří Švejcar, CSc. (předseda) prof. RNDr. Eduard Schmidt, CSc. (místopředseda) prof. Ing. Rudolf Foret, CSc. (člen) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (člen) prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (člen) Mgr. Jan Šik, Ph.D. (člen)cs
but.defenceMotivací DP byla řešení dvou problémů depozice tenkých vrstev: 1. Ztrátu getační schopnosti vrstev polykrystalického SI při vysokoteplotním žíhání 2. Vysoké residuální pnutí vrstev, které způsobuje nežádoucí prohýbání SI desekcs
but.jazykčeština (Czech)
but.programFyzikální a materiálové inženýrstvícs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorSpousta, Jiřícs
dc.contributor.authorLysáček, Davidcs
dc.contributor.refereeSchmidt, Eduardcs
dc.contributor.refereeFejfar, Antoníncs
dc.date.available2013-06-07cs
dc.date.created2010cs
dc.description.abstractDisertační práce se zabývá strukturou a vlastnostmi tenkých vrstev polykrystalického křemíku deponovaného metodou LPCVD na zadní stranu křemíkových desek, které jsou dále využívány pro výrobu polovodičových součástek. Práce se zaměřuje na detailní popis struktury vrstev, studium getračních vlastností vrstev a residuálního pnutí ve vrstvách. Hlavním cílem práce je vývoj dvou nových technologií. První vede ke zvýšení teplotní stability getrační schopnosti vrstev. Druhá řeší depozici vrstev s řízeným residuálním pnutím. Disertační práce byla připravována za podpory společnosti ON Semiconductor Czech Republic, Rožnov pod Radhoštěm.cs
dc.description.abstractThe doctoral thesis deals with the structure and properties of the polycrystalline silicon layers deposited on the silicon wafers backside. The wafers are further used for production of semiconductor devices. This work is focused on detailed description of the layers structure and study of the gettering properties and residual stress of the layers. The main goal of this work is to develop two novel technologies. The first one leads to improvement of the temperature stability of the gettering properties of the layers, and the second one solves the deposition of the layers with pre-determined residual stress. This doctoral thesis was created with the support of the company ON Semiconductor Czech Republic, Rožnov pod Radhoštěm.en
dc.description.markPcs
dc.identifier.citationLYSÁČEK, D. Tenké vrstvy polykrystalického křemíku [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2010.cs
dc.identifier.other32546cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/7145
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrstvícs
dc.rightsPřístup k plnému textu prostřednictvím internetu byl licenční smlouvou omezen na dobu 3 roku/letcs
dc.subjectpolykrystalický křemíkcs
dc.subjectgetracecs
dc.subjectmultivrstevnaté strukturycs
dc.subjectchemická depozice z plynné fázecs
dc.subjectpolycrystalline siliconen
dc.subjectgetteringen
dc.subjectmultilayer structureen
dc.subjectchemical vapor depositionen
dc.titleTenké vrstvy polykrystalického křemíkucs
dc.title.alternativeThin Films of Polycrystalline Siliconen
dc.typeTextcs
dc.type.driverdoctoralThesisen
dc.type.evskpdizertační prácecs
dcterms.dateAccepted2010-06-07cs
dcterms.modified2010-06-17-14:07:32cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta strojního inženýrstvícs
sync.item.dbid32546en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2025.03.27 13:34:20en
sync.item.modts2025.01.15 23:33:18en
thesis.disciplineFyzikální a materiálové inženýrstvícs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrstvícs
thesis.levelDoktorskýcs
thesis.namePh.D.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
review_32546.html
Size:
1.65 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
file review_32546.html
Download
Collections
2010