Tenké vrstvy polykrystalického křemíku
Loading...
Date
Authors
Lysáček, David
ORCID
Advisor
Referee
Mark
P
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstract
Disertační práce se zabývá strukturou a vlastnostmi tenkých vrstev polykrystalického křemíku deponovaného metodou LPCVD na zadní stranu křemíkových desek, které jsou dále využívány pro výrobu polovodičových součástek. Práce se zaměřuje na detailní popis struktury vrstev, studium getračních vlastností vrstev a residuálního pnutí ve vrstvách. Hlavním cílem práce je vývoj dvou nových technologií. První vede ke zvýšení teplotní stability getrační schopnosti vrstev. Druhá řeší depozici vrstev s řízeným residuálním pnutím. Disertační práce byla připravována za podpory společnosti ON Semiconductor Czech Republic, Rožnov pod Radhoštěm.
The doctoral thesis deals with the structure and properties of the polycrystalline silicon layers deposited on the silicon wafers backside. The wafers are further used for production of semiconductor devices. This work is focused on detailed description of the layers structure and study of the gettering properties and residual stress of the layers. The main goal of this work is to develop two novel technologies. The first one leads to improvement of the temperature stability of the gettering properties of the layers, and the second one solves the deposition of the layers with pre-determined residual stress. This doctoral thesis was created with the support of the company ON Semiconductor Czech Republic, Rožnov pod Radhoštěm.
The doctoral thesis deals with the structure and properties of the polycrystalline silicon layers deposited on the silicon wafers backside. The wafers are further used for production of semiconductor devices. This work is focused on detailed description of the layers structure and study of the gettering properties and residual stress of the layers. The main goal of this work is to develop two novel technologies. The first one leads to improvement of the temperature stability of the gettering properties of the layers, and the second one solves the deposition of the layers with pre-determined residual stress. This doctoral thesis was created with the support of the company ON Semiconductor Czech Republic, Rožnov pod Radhoštěm.
Description
Citation
LYSÁČEK, D. Tenké vrstvy polykrystalického křemíku [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2010.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Fyzikální a materiálové inženýrství
Comittee
prof. Ing. Jiří Švejcar, CSc. (předseda)
prof. RNDr. Eduard Schmidt, CSc. (místopředseda)
prof. Ing. Rudolf Foret, CSc. (člen)
prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (člen)
prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (člen)
Mgr. Jan Šik, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2010-06-07
Defence
Motivací DP byla řešení dvou problémů depozice tenkých vrstev:
1. Ztrátu getační schopnosti vrstev polykrystalického SI při vysokoteplotním žíhání
2. Vysoké residuální pnutí vrstev, které způsobuje nežádoucí prohýbání SI desek
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Přístup k plnému textu prostřednictvím internetu byl licenční smlouvou omezen na dobu 3 roku/let