Studium vlastností povrchu monokrystalů CdTe se sub-nanometrovým hloubkovým rozlišením

Loading...
Thumbnail Image
Date
ORCID
Mark
B
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
V laboratořích Středoevropského technologického institutu – CEITEC je k dispozici unikátní zařízení Qtac, umožňující kvantitativně měřit složení horní atomové vrstvy různých materiálů včetně izolátorů. Qtac k tomu využívá nízkoenergiového rozptylu iontů, tzv. metodu LEIS. Kromě analýzy horní atomové vrstvy je LEIS v Dynamickém módu schopen určit hloubkový profil koncentrace prvku se sub-nanometrovým hloubkovým rozlišením.
In the Central European Institute of Technology (CEITEC) laboratires, a Qtac device is available, allowing us to quantitatively measure the composition of the upper-most atomic layer of different materials, including dielectrics. Qtac uses the backscattering of low-energy ions, the so-called LEIS method. Besides the surface atomic layer analysis, using the Dynamic mode LEIS can determine the depth profile of elemental concentrations with sub-nanometer precision.
Description
Citation
ČERMÁK, R. Studium vlastností povrchu monokrystalů CdTe se sub-nanometrovým hloubkovým rozlišením [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2019.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
en
Study field
Mikroelektronika a technologie
Comittee
prof. Ing. Miroslav Husák, CSc. (předseda) doc. Ing. Pavel Šteffan, Ph.D. (místopředseda) Ing. Jitka Brüstlová, CSc. (člen) Ing. Vladimír Levek, Ph.D. (člen) Ing. Miroslav Zemánek, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2019-06-11
Defence
Student seznámil státní zkušební komisi s řešením své bakalářské práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta. Dále odpověděl na otázky komise: Při jakém tlaku se provádí měření metodou LEIS? - Vysoké vakuum.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení
DOI
Collections
Citace PRO