Studium vlastností povrchu monokrystalů CdTe se sub-nanometrovým hloubkovým rozlišením

Abstract

V laboratořích Středoevropského technologického institutu – CEITEC je k dispozici unikátní zařízení Qtac, umožňující kvantitativně měřit složení horní atomové vrstvy různých materiálů včetně izolátorů. Qtac k tomu využívá nízkoenergiového rozptylu iontů, tzv. metodu LEIS. Kromě analýzy horní atomové vrstvy je LEIS v Dynamickém módu schopen určit hloubkový profil koncentrace prvku se sub-nanometrovým hloubkovým rozlišením.In the Central European Institute of Technology (CEITEC) laboratires, a Qtac device is available, allowing us to quantitatively measure the composition of the upper-most atomic layer of different materials, including dielectrics. Qtac uses the backscattering of low-energy ions, the so-called LEIS method. Besides the surface atomic layer analysis, using the Dynamic mode LEIS can determine the depth profile of elemental concentrations with sub-nanometer precision.