Model stárnutí unipolárního tranzistoru

Simple item page
but.committeeprof. Ing. Miroslav Kasal, CSc. (předseda) prof. Ing. Otakar Wilfert, CSc. (místopředseda) doc. Ing. Jaromír Kolouch, CSc. (člen) doc. Ing. Jiří Petržela, Ph.D. (člen) Ing. Jan Šimša, CSc. (člen) Ing. Miloslav Macho, CSc. (člen) prof. Ing. Čestmír Vlček, CSc. (člen)cs
but.defenceStudent prezentuje výsledky a postupy řešení své diplomové práce. Následně odpovídá na dotazy vedoucího a oponenta práce a na dotazy členů zkušební komise.cs
but.jazykčeština (Czech)
but.programElektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technikacs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorPetržela, Jiřícs
dc.contributor.authorSoukal, Pavelcs
dc.contributor.refereeKolka, Zdeněkcs
dc.date.created2008cs
dc.description.abstractS neustálým vývojem v bezdrátových komunikacích je v posledních letech žádoucí integrace rádio-frekvenčních a komunikačních obvodů do jednoho čipu. Technologie CMOS se postupem času neustále vyvíjí, a proto se stává více atraktivní pro realizaci implementace systému do jediného čipu. CMOS tranzistory jsou však stále zmenšovány, a proto ve vzrůstajícím elektrickém poli významně roste efekt horkých přepravců (HCI). Pokud je oxid zmenšen na méně než 5 nm je zde pravděpodobnost měkkého nebo tvrdého selhání oxidu (S/HBD). Výsledkem generování těchto oxidových pastí je dlouhodobá odchylka od normálního výkonu, která souvisí se spolehlivostí zařízení a obvodů. Se zmenšováním a rostoucími ztrátami na výkonu se provozní teplota značně zvyšuje. Další problém ve spolehlivosti zařízení je teplotní nestabilita pracovního bodu (NBTI) způsobená pastmi pod vysokou teplotou a záporným napětím hradla, které vzniká při zvýšené operační teplotě zařízení. Extrakce parametrů je velmi důležitou součásti procesu modelování elektronických součástí, protože hledá hodnoty neznámých parametrů matematického modelu, který modeluje fyzikální závislosti dané součástky. Potíž je, že problém extrakce je špatně postavenou úlohou, jejíž řešení je obtížné. Tato diplomová práce také ukazuje extrakci (vyjmutí) parametru, metodiku optimalizace a ověřování těchto poznatků na matematických modelech MOSFET tranzistoru (LEVEL1, LEVEL2 a LEVEL3). Uvedená nelineární metoda je založena na metodě nejmenších čtverců, kterou řešíme Levenberg - Marquardtovým algoritmem.cs
dc.description.abstractAccording to non-stopable progress in wireless communications, it is desirable to integrate the RF front-end with the baseband building blocks of communication circuits into a one chip in the recent years. The CMOS technology advances, this is the reason why it becomes attractive for system-on-a-chip implementation, but CMOS device is getting shrink, so the channel electric field increasing and the hot carrier (HCI) effect becomes more significant. If the oxide is scaled down to less than 3 nm, then there is the possibility of soft or hard oxide breakdown (S/HBD) often takes place. As a result of the oxide trapping and interface generation is the long term performance drift and related reliability problems in devices and circuits. During the scaling and increasing chip power dissipation operating temperatures for device have also is increasing. Another reliability concern is the negative bias temperature instability (NBTI) caused by the interface traps under high temperature and negative gate voltage bias are arising while the operation temperature of devices is increasing. Parameter’s extraction is a very important part of the current electronic components modeling process, as it looking for the value of the unknown parameters in mathematical model, which represents physical behavior of given electronic component. The problem of parameter extraction is that fits electronic components mathematical model to a measured data set is an ill-posed problem and its solution is inherently difficult. This diploma thesis presents the parameter extraction, optimization methodology and verifies it on a case study of a MOSFET mathematical models (LEVEL1, LEVEL2 and LEVEL3) parameter extraction. The presented nonlinear method is based on the method of the least squares, which is solved with the aid of Levenberg- Marquardt’s algorithm.en
dc.description.markDcs
dc.identifier.citationSOUKAL, P. Model stárnutí unipolárního tranzistoru [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2008.cs
dc.identifier.other8926cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/25419
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectStárnutí tranzistorucs
dc.subjectNBTIcs
dc.subjectHCIcs
dc.subjectMOSFETcs
dc.subjectExtrakce parametrůcs
dc.subjectSystémová Optimalizacecs
dc.subjectTransistor age effecten
dc.subjectNBTIen
dc.subjectHCIen
dc.subjectMOSFETen
dc.subjectParameter Extractionen
dc.subjectSystem Optimizationen
dc.titleModel stárnutí unipolárního tranzistorucs
dc.title.alternativeAge effect modeling of the unipolar transistoren
dc.typeTextcs
dc.type.drivermasterThesisen
dc.type.evskpdiplomová prácecs
dcterms.dateAccepted2008-06-10cs
dcterms.modified2008-10-07-09:33:05cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
sync.item.dbid8926en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2025.03.26 10:04:10en
sync.item.modts2025.01.15 13:29:15en
thesis.disciplineElektronika a sdělovací technikacs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav radioelektronikycs
thesis.levelInženýrskýcs
thesis.nameIng.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 3 of 3
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
1.5 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
final-thesis.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
appendix-1.zip
Size:
799.11 KB
Format:
zip
Description:
appendix-1.zip
Download
Thumbnail Image
Name:
review_8926.html
Size:
7.19 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
file review_8926.html
Download
Collections
2008