SOUKAL, P. Model stárnutí unipolárního tranzistoru [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2008.

Posudek vedoucího

Petržela, Jiří

Zadání práce lze považovat za splněné, avšak jednotlivé skripty v Mathcadu mohly být transparentnější a nemusely být ve výsledku zkomprimovány na přiloženém CD. V práci postrádám praktický příklad v kapitole o modelování stárnutí MOS tranzistoru. Student se snažil pracovat samostatně, avšak nesystematicky a vlastní činnost zahájil až v pokročilém stádiu vyhrazeném na řešení. Obrázky mají špatnou kvalitu a z textu není zřejmé, odkud je student převzal. Totéž lze říci o některých vzorcích. Práce rovněž obsahuje některé zavádějící informace. Student využíval ke studiu dané problematiky jak knižní tituly tak i internet. U některých publikací však není vůbec zřejmé, jakým způsobem ji použil.

Posudek oponenta

Kolka, Zdeněk

Cílem práce bylo popsat proces stárnutí unipolárních tranzistorů a navrhnout metodu pro identifikaci parametrů modelu. Práce má celkově velmi nízkou úroveň. Teoretická část vznikla spojením několika textů, ve kterých byla ponechána původní terminologie (MOSFET/MISFET, emitor/source, atd.). Text místy budí dojem, že mu student nerozuměl. Navržená metodika identifikace parametrů zejména modelů úrovně 1 je nevhodná. Ve vztazích se vyskytuje člen KP*W/L, ve kterém není dobře možné určit všechny parametry jen na základě měření výstupních charakteristik. Není přesně vysvětlen postup výpočtu (chyba, vstupní data, aj.). Z formálního hlediska mám největší připomínky k tomu, že téměř všechny obrázky z teoretické části jsou okopírované bez udání zdroje. Navíc jsou špatně čitelné. V textu jsou nesmyslně přeložené anglické výrazy (carrier - přepravce, silikon, atd.). Vzhledem k náročnosti zadání konstatují, že práce splňuje požadavky na nejnižší možné úrovni.

eVSKP id 8926