but.committee	prof. Ing. RNDr. Josef Šikula, DrSc. (předseda) doc. RNDr. Milada Bartlová, Ph.D. (člen) prof. Ing. Pavel Koktavý, CSc. Ph.D. (člen) Prof. Ing. Jaromír Pištora, CSc. (člen) doc. RNDr. Pavel Moravec, CSc. (člen) prof. Ing. Karel Hájek, CSc. (člen)	cs
but.jazyk	čeština (Czech)
but.program	Elektrotechnika a komunikační technologie	cs
but.result	práce byla úspěšně obhájena	cs
dc.contributor.advisor	Tománek, Pavel	cs
dc.contributor.author	Škarvada, Pavel	cs
dc.contributor.referee	Hrabovský, Miroslav	cs
dc.contributor.referee	Lazar, Josef	cs
dc.date.created	2012	cs
dc.description.abstract	Konverze solární energie a miniaturizace polovodičových součástek a s tím spojená životnost, spolehlivost a účinnost zařízení jsou základní premisy této práce. Práce je zaměřena na studium a nedestruktivní diagnostiku optoelektronických součástek, především solárních článků. Ty jsou výhodné pro studium především proto, že mají přístupný pn přechod blízko povrchu a obsahují značné množství nehomogenit. Vzhledem k rozměrům nehomogenit bylo ještě donedávna obtížné zkoumat jejich lokální fyzikální (tj. elektrické a optické) charakteristiky, které by umožnily lépe pochopit jejich chování. Vybudování vlastního měřicí pracoviště, které splňuje specifické požadavky pro oblast měření lokálního optického vyzařování a lokálně indukovaného proudu, umožnilo dosáhnout lokalizaci a detekci nehomogenit s rozlišením přibližně 100 nm. Jádrem práce je charakterizace nedokonalostí s využitím nedestruktivních technik, a to nejen z makroskopického hlediska, ale především v mikroskopickém měřítku s využitím sondové mikroskopie. Nedílnou součást práce tedy tvoří studium problematiky charakterizačních technik pro optoelektronické součástky, studium mikroskopických technik, především sondových a problematika zpracování naměřených dat. Pro účely mikroskopické charakterizace je použit mikroskop se skenující sondou v blízkém optickém poli, který kromě morfologie povrchu umožňuje zkoumat také lokální optické, optoelektrické a elektrooptické vlastnosti struktur ve vysokém prostorovém rozlišení. Z makroskopického hlediska jsou v rámci práce zkoumány vzorky s využitím techniky lokálně indukovaného proudu, voltampérových charakteristik vzorků, emise ze závěrně polarizovaných vzorků ale i jejich teplotních závislostí. Společným využitím těchto technik je možné lokalizovat defekty a nehomogenity struktury, které byly následně podrobeny kompozitní analýze a dále zobrazeny s využitím elektronové mikroskopie. Mezi konkrétní výstupy práce patří specifikace možností využití nedestruktivních charakterizačních technik pro studium optoelektronických součástek a zvláště pak pro klasifikaci jejich defektů. Dále jsou formou metodiky popsány experimentální charakterizační techniky a postupy charakterizace defektů. Klíčovým výstupem je katalog objevených typů defektů, ve kterém jsou ukázány konkrétní defekty vzorků a jejich lokální vlastnosti v mikroskopickém měřítku společně s popisem jejich vlivu na celý vzorek.	cs
dc.description.abstract	Solar energy conversion, miniaturization of semiconductor devices and associated lifetime, reliability and efficiency of devices are the basic premise of this work. This work is focused on the study of optoelectronic devices especially solar cells and its nondestructive diagnostic. Solar cells are advantageous for study mainly because the pn junction is located near the surface and contains a lot of inhomogeneities. It has been difficult until recently to investigate their local physical (electrical and optical) parameters due to the size of inhomogeneities. Behavior of inhomogeneities can be well understood with knowledge of its local properties. Establishment of measurement workplace, that satisfies requirements for measurement of local emission and optically induced current measurement, allows us detection and localization of inhomogeneities with spatial resolution more or less 100 nm. The core of thesis is characterization of imperfection using nondestructive techniques in the macroscopic region but primarily in microscopic region using scanning probe microscopy. Integral parts of the work are characterization techniques for photoelectrical devices, microscopic techniques and data processing. Scanning near-field optical microscope is used for the purpose of microscopic characterization such as topography, local optical, photoelectrical and electrooptical properties of structures in high spatial resolution. Locally induced current technique, current voltage characteristics, emission from reversed bias pn junction measurement including its thermal dependence are used for samples investigation in macroscopical region. It is possible to localize defects and structure inhomogeneity using mentioned techniques. Localised defects are consequently analyzed for composition and measured using electron microscopy. Specific outputs of work are classification of photoelectric devices defects and specification of nondestructive characterization techniques used for defect detection. Experimental characterization techniques are described together with defects measurement procedures. The key output is the catalog of serious defects which was detected. Particular defects of samples are shown including describe of its properties and physical meaning.	en
dc.description.mark	P	cs
dc.identifier.citation	ŠKARVADA, P. Lokální optické a elektrické charakteristiky optoelektronických součástek [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2012.	cs
dc.identifier.other	51610	cs
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11012/13276
dc.language.iso	cs	cs
dc.publisher	Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií	cs
dc.rights	Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení	cs
dc.subject	Mikroskopie skenující sondou	cs
dc.subject	skenující mikroskop se sondou v blízkém optickém poli	cs
dc.subject	světlem indukovaný proud	cs
dc.subject	vyzařování ze závěrně polarizovaného pn přechodu	cs
dc.subject	solární článek	cs
dc.subject	lokalizace defektů	cs
dc.subject	lokální průrazy.	cs
dc.subject	Scanning probe microscopy	en
dc.subject	scanning near-field optical microscope	en
dc.subject	light beam induced current	en
dc.subject	light emission from reversed biased pn junction	en
dc.subject	solar cell	en
dc.subject	defects localization	en
dc.subject	local breakdown.	en
dc.title	Lokální optické a elektrické charakteristiky optoelektronických součástek	cs
dc.title.alternative	Local optical and electrical characteristics of optoelectronic devices	en
dc.type	Text	cs
dc.type.driver	doctoralThesis	en
dc.type.evskp	dizertační práce	cs
dcterms.dateAccepted	2012-03-13	cs
dcterms.modified	2012-03-14-09:26:19	cs
eprints.affiliatedInstitution.faculty	Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií	cs
sync.item.dbid	51610	en
sync.item.dbtype	ZP	en
sync.item.insts	2025.03.27 11:54:44	en
sync.item.modts	2025.01.15 18:51:05	en
thesis.discipline	Fyzikální elektronika a nanotechnologie	cs
thesis.grantor	Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav fyziky	cs
thesis.level	Doktorský	cs
thesis.name	Ph.D.	cs

Lokální optické a elektrické charakteristiky optoelektronických součástek

Files

Original bundle

Collections