Výroba polovodičových součástek na křemíku

Abstract

Předkládaná práce se zabývá problematikou základních technologií a procesů pro výrobu polovodičových součástek na křemíkovém substrátu. Uvádí procesy vytváření vrstvy oxidu křemičitého pomocí oxidace, vytváření struktur pomocí fotolitografie, dotování příměsí do oblastí vymezených fotolitografií pomocí difúze až po vytváření kontaktů a vodivých cest naprašováním. Dále se zabývá technologickým postupem výroby konkrétních součástek na křemíku, popisem těchto součástek i měřením, výpočtem růstu oxidu křemičitého, výpočtem difúze. Výsledkem jsou naměřené charakteristiky charakteristik součástek plus jejich vyhodnocení.This work deals with the basic technologies and processes of manufacturing semiconductor devices on a silicon substrate. Deals with the processes from creating a layer of silicon dioxide by oxidation, through the creation of structures using photolithography, the doping of additives into defined areas of diffusion, up to creating contacts and conductive pathways by sputtering. It also deals with the technological production process for silicon devices, description of devices and measurement, calculation layers of silicon dioxide, calculated of diffusion and measured characteristics of components and their evaluation.