Charakterizace dielektrických vrstev na křemíkové desce

Simple item page
but.committeeprof. Ing. Vladislav Musil, CSc. (předseda) Ing. Tomáš Bžoněk (místopředseda) prof. Ing. Dalibor Biolek, CSc. (člen) Ing. Miroslav Zatloukal (člen) doc. Ing. Pavel Šteffan, Ph.D. (člen)cs
but.defenceStudent seznámil státní zkušební komisi s cíli a řešením závěrečné práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta. Student na doplňující otázky členů komise odpovídal váhavě, některé otázky byly zodpovězeny pouze částečně. Byla položena otázka členem komise na typ jednotky (F/m) uvedené v práci. Byla položena otázka členem komise na sílu vrstvy. Byla položena otázka členem komise na způsob měření - výpočet impedance z reálné a imaginární složky.cs
but.jazykčeština (Czech)
but.programElektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technikacs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorHubálek, Jaromírcs
dc.contributor.authorFillner, Patrikcs
dc.contributor.refereeBoušek, Jaroslavcs
dc.date.accessioned2019-04-03T22:51:02Z
dc.date.available2019-04-03T22:51:02Z
dc.date.created2018cs
dc.description.abstractTáto bakalárska práca sa zaoberá tenkými oxidovými dielektrickými vrstvami na kremíkovom substráte. Podrobnejšie skúma ich charakterizáciu a jednotlivé hodnoty parametrov vzoriek. Uplatnenie je možné nájsť v použití týchto vrstiev pri výrobe kondenzátorov na kremíkových čipoch. Vzorky pozostávajú z planárnych oxidových vrstiev o hrúbke v rozmedzí desiatok nanometrov na jednotlivých kremíkových substrátoch s naparenými, alebo naprášenými elektródami.cs
dc.description.abstractThis bachelor thesis focuses on thin oxide based dielectric layers on silicon wafer. Main effort is for characterization of properties of samples. This technology can be used for manufacturing capacitors on silicon chips. Samples are based on planar oxide layers made with thin film technology on single silicon wafers coated with electrodes deposited by evaporation or by sputtering.en
dc.description.markCcs
dc.identifier.citationFILLNER, P. Charakterizace dielektrických vrstev na křemíkové desce [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2018.cs
dc.identifier.other111749cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/81749
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectoxidová vrstvacs
dc.subjectdielektrické vlastnostics
dc.subjectnanoštruktúracs
dc.subjectkondenzátorcs
dc.subjecttenká vrstvacs
dc.subjectdielektrická konštantacs
dc.subjectoxide filmen
dc.subjectdielectric propertiesen
dc.subjectnanostructureen
dc.subjectcapacitoren
dc.subjectthin film technologyen
dc.subjectdielectric constanten
dc.titleCharakterizace dielektrických vrstev na křemíkové descecs
dc.title.alternativeCharacterisation of dielectric films on a silicon waferen
dc.typeTextcs
dc.type.driverbachelorThesisen
dc.type.evskpbakalářská prácecs
dcterms.dateAccepted2018-06-12cs
dcterms.modified2018-06-14-07:58:55cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
sync.item.dbid111749en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2021.11.12 09:59:08en
sync.item.modts2021.11.12 08:59:39en
thesis.disciplineMikroelektronika a technologiecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav mikroelektronikycs
thesis.levelBakalářskýcs
thesis.nameBc.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 3 of 3
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
1.83 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
final-thesis.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
appendix-1.txt
Size:
1.87 KB
Format:
Plain Text
Description:
appendix-1.txt
Download
Thumbnail Image
Name:
review_111749.html
Size:
7.62 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
review_111749.html
Download
Collections
2018