Charakterizace dielektrických vrstev na křemíkové desce
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
C
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Táto bakalárska práca sa zaoberá tenkými oxidovými dielektrickými vrstvami na kremíkovom substráte. Podrobnejšie skúma ich charakterizáciu a jednotlivé hodnoty parametrov vzoriek. Uplatnenie je možné nájsť v použití týchto vrstiev pri výrobe kondenzátorov na kremíkových čipoch. Vzorky pozostávajú z planárnych oxidových vrstiev o hrúbke v rozmedzí desiatok nanometrov na jednotlivých kremíkových substrátoch s naparenými, alebo naprášenými elektródami.
This bachelor thesis focuses on thin oxide based dielectric layers on silicon wafer. Main effort is for characterization of properties of samples. This technology can be used for manufacturing capacitors on silicon chips. Samples are based on planar oxide layers made with thin film technology on single silicon wafers coated with electrodes deposited by evaporation or by sputtering.
This bachelor thesis focuses on thin oxide based dielectric layers on silicon wafer. Main effort is for characterization of properties of samples. This technology can be used for manufacturing capacitors on silicon chips. Samples are based on planar oxide layers made with thin film technology on single silicon wafers coated with electrodes deposited by evaporation or by sputtering.
Description
Citation
FILLNER, P. Charakterizace dielektrických vrstev na křemíkové desce [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2018.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Mikroelektronika a technologie
Comittee
prof. Ing. Vladislav Musil, CSc. (předseda)
Ing. Tomáš Bžoněk (místopředseda)
prof. Ing. Dalibor Biolek, CSc. (člen)
Ing. Miroslav Zatloukal (člen)
doc. Ing. Pavel Šteffan, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2018-06-12
Defence
Student seznámil státní zkušební komisi s cíli a řešením závěrečné práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta. Student na doplňující otázky členů komise odpovídal váhavě, některé otázky byly zodpovězeny pouze částečně.
Byla položena otázka členem komise na typ jednotky (F/m) uvedené v práci.
Byla položena otázka členem komise na sílu vrstvy.
Byla položena otázka členem komise na způsob měření - výpočet impedance z reálné a imaginární složky.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení