Selektivní růst GaN nanostruktur na křemíkových substrátech
| but.committee | prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) | cs |
| but.jazyk | čeština (Czech) | |
| but.program | Aplikované vědy v inženýrství | cs |
| but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
| dc.contributor.advisor | Voborný, Stanislav | cs |
| dc.contributor.author | Knotek, Miroslav | cs |
| dc.contributor.referee | Novák, Tomáš | cs |
| dc.date.created | 2015 | cs |
| dc.description.abstract | Tato práce se zabývá depozicí tenkých vrstev nitridu gallia na křemíkové substráty pokryté maskami z negativního rezistu HSQ. Rezist byl strukturován elektronovou litografií za účelem vytvoření masek, ve kterých bylo dosaženo selektivního růstu GaN krystalů. Růst vrstev GaN byl prováděn pomocí metody MBE. Byly studovány různé podmínky depozice pro dosažení požadovaného selektivního růstu. | cs |
| dc.description.abstract | This thesis deals with deposition of gallium nitride thin films on silicon substrates covered by negative HSQ rezist. Rezist was patterned via electron beam lithography to create masks, where the selective growth of crystals was achieved. Growth of GaN layers was carried out by MBE method. For achievement of desired selective growth, the various deposition conditions were studied. | en |
| dc.description.mark | A | cs |
| dc.identifier.citation | KNOTEK, M. Selektivní růst GaN nanostruktur na křemíkových substrátech [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2015. | cs |
| dc.identifier.other | 84003 | cs |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/41212 | |
| dc.language.iso | cs | cs |
| dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství | cs |
| dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
| dc.subject | GaN | cs |
| dc.subject | HSQ rezist | cs |
| dc.subject | elektronová litografie | cs |
| dc.subject | tenké vrstvy | cs |
| dc.subject | povrchová difúze | cs |
| dc.subject | selektivní růst. | cs |
| dc.subject | GaN | en |
| dc.subject | HSQ resist | en |
| dc.subject | electron beam lithography | en |
| dc.subject | thin films | en |
| dc.subject | surface diffusion | en |
| dc.subject | selective growth. | en |
| dc.title | Selektivní růst GaN nanostruktur na křemíkových substrátech | cs |
| dc.title.alternative | Selective growth of GaN nanostructures on silicon substrates | en |
| dc.type | Text | cs |
| dc.type.driver | masterThesis | en |
| dc.type.evskp | diplomová práce | cs |
| dcterms.dateAccepted | 2015-06-22 | cs |
| dcterms.modified | 2015-06-24-13:49:23 | cs |
| eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta strojního inženýrství | cs |
| sync.item.dbid | 84003 | en |
| sync.item.dbtype | ZP | en |
| sync.item.insts | 2025.03.27 07:57:56 | en |
| sync.item.modts | 2025.01.15 22:35:42 | en |
| thesis.discipline | Fyzikální inženýrství a nanotechnologie | cs |
| thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrství | cs |
| thesis.level | Inženýrský | cs |
| thesis.name | Ing. | cs |