Modelování vysokofrekvenční diody v programu Comsol Multiphysics

but.committeeprof. Dr. Ing. Zbyněk Raida (předseda) doc. Ing. Jiří Šebesta, Ph.D. (místopředseda) doc. Ing. Jana Kolářová, Ph.D. (člen) doc. Ing. Jaroslav Láčík, Ph.D. (člen) Doc. Ing. Josef Dobeš, CSc. (člen) Ing. Luděk Závodný, Ph.D. (člen)cs
but.defenceStudent prezentuje výsledky a postupy řešení své bakalářské práce. Následně odpovídá na dotazy vedoucího a oponenta práce a na dotazy členů zkušební komise.cs
but.jazykslovenština (Slovak)
but.programElektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technikacs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorRaida, Zbyněksk
dc.contributor.authorTruhlář, Michalsk
dc.contributor.refereePokorný, Michalsk
dc.date.created2009cs
dc.description.abstractPráce přináší poznaní jevů v polovodičové diodě při vzniku P-N přechodu. V práci je soustředěná pozornost na návrh polovodičové vysokofrekvenční diody v programu Comsol Multiphyssics 3.3 . Velká pozornost je věnována optimalizaci namodelované diody tak, aby se volt-ampérová charakteristika podobala skutečným reálným charakteristikám komerčně vyráběných diod. Konkrétně je řešena problematika v okolí P-N přechodu, kde je tento program citlivý na změny geometrie hranic těchto dvou rozdílných oblastí typů P a N. V práci je systematizovaný souhrn zpracování a postupu při navrhovaní a optimalizaci vf diody. První část popisuje polovodičovou diodu jako součástku používanou v elektrotechnice, pričemž vysvětluje vznik, vlastnosti, použití a typy používaných diod. Druhá čast obsahuje postup modelovaní konkrétní polovodičové vysokofrekvenční křemíkové diody. Dále se práce věnuje optimalizaci namodelované diody na reální a zkoumání parametrů, které ovlivňují její vlastnosti. V poslední části mojí bakalářské práce byl vytvořen v Matlabu jednoduchý program pro globální optimalizaci. Daný program byl propojen s modelem diody a přezkoumány možnosti optimalizace jejich parametrů.sk
dc.description.abstractThis work brings understanding effects in semiconductor diode by rise P-N junction. Attention devote to suggested high frequency semiconductor diode in program Comsol Multiphysics 3.3.Atention is concentrated to optimization model of diode so as volt-ampere characteristic resembles to real characteristics of diodes. Is tried to find a solution to entourage P-N devolution, where this program sensitive on changes geometry’s barriers of these is different types P-N. In work is summary of treatment and advancing by divining and by optimization of high frequency diode. First part describes semiconductor diode like component used in the electrotechnics, which explains rise, descriptions, using and types of used diodes. Second part includes progress of scaling concrete semiconductor high frequency silicon diode. In this work is braining to optimization model of diode to real and research parameters, which influence her descriptions. In last part of my bachelor’s work was created a simple program in Matlab for global optimization. This program by connected with model of diode and check up possibilities of optimizations their parametersen
dc.description.markEcs
dc.identifier.citationTRUHLÁŘ, M. Modelování vysokofrekvenční diody v programu Comsol Multiphysics [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2009.cs
dc.identifier.other14639cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/14168
dc.language.isoskcs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectP-N přechodsk
dc.subjectvysokofrekvenční diodask
dc.subjectmodelovánísk
dc.subjectParticle swarm optimizationsk
dc.subjectP-N junctionen
dc.subjecthighfrekvenci diodeen
dc.subjectmodelingen
dc.subjectParticle swarm optimizationen
dc.titleModelování vysokofrekvenční diody v programu Comsol Multiphysicssk
dc.title.alternativeModeling HF diode in Comsol Multiphysicsen
dc.typeTextcs
dc.type.driverbachelorThesisen
dc.type.evskpbakalářská prácecs
dcterms.dateAccepted2009-06-15cs
dcterms.modified2009-07-07-11:45:11cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
sync.item.dbid14639en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2025.03.16 13:10:50en
sync.item.modts2025.01.17 13:26:16en
thesis.disciplineElektronika a sdělovací technikacs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav radioelektronikycs
thesis.levelBakalářskýcs
thesis.nameBc.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 2 of 2
Loading...
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
1.57 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
final-thesis.pdf
Loading...
Thumbnail Image
Name:
review_14639.html
Size:
5.5 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
file review_14639.html
Collections