Modelování vysokofrekvenční diody v programu Comsol Multiphysics

Abstract

Práce přináší poznaní jevů v polovodičové diodě při vzniku P-N přechodu. V práci je soustředěná pozornost na návrh polovodičové vysokofrekvenční diody v programu Comsol Multiphyssics 3.3 . Velká pozornost je věnována optimalizaci namodelované diody tak, aby se volt-ampérová charakteristika podobala skutečným reálným charakteristikám komerčně vyráběných diod. Konkrétně je řešena problematika v okolí P-N přechodu, kde je tento program citlivý na změny geometrie hranic těchto dvou rozdílných oblastí typů P a N. V práci je systematizovaný souhrn zpracování a postupu při navrhovaní a optimalizaci vf diody. První část popisuje polovodičovou diodu jako součástku používanou v elektrotechnice, pričemž vysvětluje vznik, vlastnosti, použití a typy používaných diod. Druhá čast obsahuje postup modelovaní konkrétní polovodičové vysokofrekvenční křemíkové diody. Dále se práce věnuje optimalizaci namodelované diody na reální a zkoumání parametrů, které ovlivňují její vlastnosti. V poslední části mojí bakalářské práce byl vytvořen v Matlabu jednoduchý program pro globální optimalizaci. Daný program byl propojen s modelem diody a přezkoumány možnosti optimalizace jejich parametrů.This work brings understanding effects in semiconductor diode by rise P-N junction. Attention devote to suggested high frequency semiconductor diode in program Comsol Multiphysics 3.3.Atention is concentrated to optimization model of diode so as volt-ampere characteristic resembles to real characteristics of diodes. Is tried to find a solution to entourage P-N devolution, where this program sensitive on changes geometry’s barriers of these is different types P-N. In work is summary of treatment and advancing by divining and by optimization of high frequency diode. First part describes semiconductor diode like component used in the electrotechnics, which explains rise, descriptions, using and types of used diodes. Second part includes progress of scaling concrete semiconductor high frequency silicon diode. In this work is braining to optimization model of diode to real and research parameters, which influence her descriptions. In last part of my bachelor’s work was created a simple program in Matlab for global optimization. This program by connected with model of diode and check up possibilities of optimizations their parameters