Alternativní přístupy přípravy tenké vrstvy nitridu hliníku pomocí metody depozice atomárních vrstev

Simple item page
but.committeeprof. Ing. Pavel Koktavý, CSc. Ph.D. (předseda) doc. RNDr. Milada Bartlová, Ph.D. (člen) doc. Ing. Vlasta Sedláková, Ph.D. (člen) doc. Ing. Jiří Vaněk, Ph.D. (člen) Ing. Jan Prášek, Ph.D. (člen) doc. Ing. Vladimír Kolařík, Ph.D. - oponent (člen) Ing. Petr Kuberský, Ph.D. (člen)cs
but.defenceDoktorand prezentoval svoji doktorskou disertační práci, v prezentaci zdůraznil výsledky a původní přínosy. Prezentace proběhla na vysoce profesionální úrovni. Následně školitel doktoranda představil a zhodnotil jeho práci. Dále doktorand odpověděl na všechny otázky oponentů a následovala diskuze, v rámci které doktorand odpovídal na dotazy členů komise. Lze konstatovat, že všechny dotazy byly plně zodpovězeny. Komise se jednomyslně shodla, že obhajoba proběhla úspěšně.cs
but.jazykangličtina (English)
but.programMikroelektronika a technologiecs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorSedlák, Petren
dc.contributor.authorDallaev, Rashiden
dc.contributor.refereeKrčma, Františeken
dc.contributor.refereeKolařík, Vladimíren
dc.date.accessioned2021-11-20T07:54:53Z
dc.date.available2021-11-20T07:54:53Z
dc.date.created2021cs
dc.description.abstractNitrid hliníku (AlN) je slibný polovodivý materiál s velkou mezerou v pásu. Tenké filmy AlN nacházejí uplatnění v různých elektronických a optoelektronických zařízeních. V první řadě je cílem výzkumu prezentovaného v rámci této disertační práce představit nové prekurzory do procesu ALD pro depozici tenkých vrstev AlN. Navrhované prekurzory jsou lepší než tradiční prekurzory buď v nákladové efektivnosti nebo reaktivitě. Část disertační práce je věnována prohloubení porozumění chemickým procesům, které probíhají během a po depozici. V tomto ohledu bylo navrženo pracovní řešení ke zlepšení chemického složení výsledných filmů a ke zmírnění nedostatků, například oxidace. Dalším důležitým aspektem této studie je důkladná analýza fenoménu vodíku v tenkých vrstvách AlN ALD. Vodíkové nečistoty byly zkoumány pomocí přesných a pokročilých technik patřících do skupin analýzy iontovým paprskem (IBA).en
dc.description.abstractAluminum nitride (AlN) is a promising semi-conductive material with a wide band gap. Thin films of AlN find implementation in a variety of electronic and optoelectronic devices. First and foremost, the aim of the research presented within the scope of this dissertation is to introduce new precursors into ALD process for deposition of AlN thin films. The proposed precursors are superior to traditional ones either in cost-efficiency or reactivity. A part of the dissertation is devoted to enhancement of the understanding of chemical processes which take place during and after deposition. In this regard, a working solution to improving the chemical composition of the resulting films, as well as ameliorating deficiencies, for instance, oxidization, has been proposed. Another important aspect of this study has to do with a thorough analysis of hydrogen phenomenon in AlN ALD thin films. Hydrogen impurities have been investigated with the use of accurate and advanced techniques belonging to ion-beam analysis (IBA) groups.cs
dc.description.markPcs
dc.identifier.citationDALLAEV, R. Alternativní přístupy přípravy tenké vrstvy nitridu hliníku pomocí metody depozice atomárních vrstev [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2021.cs
dc.identifier.other135933cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/202286
dc.language.isoencs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectTenké vrstvyen
dc.subjectpolovodičové materiályen
dc.subjectnitrid hliníkuen
dc.subjectdepozice atomové vrstvyen
dc.subjectanalýza chemického složeníen
dc.subjectanalýza iontovým paprskemen
dc.subjectsilikonové substrátyen
dc.subjectvodíkové nečistotyen
dc.subjectvysokoteplotní žíháníen
dc.subjectcharakterizace povrchuen
dc.subjectThin filmscs
dc.subjectsemiconductor materialscs
dc.subjectaluminum nitridecs
dc.subjectatomic layer depositioncs
dc.subjectchemical composition analysiscs
dc.subjection-beam analysiscs
dc.subjectsilicon substratescs
dc.subjecthydrogen impuritiescs
dc.subjecthigh-temperature annealingcs
dc.subjectsurface characterizationcs
dc.titleAlternativní přístupy přípravy tenké vrstvy nitridu hliníku pomocí metody depozice atomárních vrsteven
dc.title.alternativeAlternative approaches for Preparation of AlN Nanolayers by Atomic Layer Depositioncs
dc.typeTextcs
dc.type.driverdoctoralThesisen
dc.type.evskpdizertační prácecs
dcterms.dateAccepted2021-11-19cs
dcterms.modified2021-11-19-10:44:08cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
sync.item.dbid135933en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2021.11.20 08:54:53en
sync.item.modts2021.11.20 08:13:53en
thesis.disciplinebez specializacecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav fyzikycs
thesis.levelDoktorskýcs
thesis.namePh.D.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 5 of 5
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
10.23 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
final-thesis.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
thesis-1.pdf
Size:
2.78 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
thesis-1.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
Posudek-Oponent prace-Posudek oponenta prof. Krcma_disertace Mgr. et Mgr. Dallaev.pdf
Size:
825.14 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Posudek-Oponent prace-Posudek oponenta prof. Krcma_disertace Mgr. et Mgr. Dallaev.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
Posudek-Oponent prace-Posudek oponenta doc. Kolarik_disertace Mgr. et Mgr. Dallaev.pdf
Size:
973.63 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Posudek-Oponent prace-Posudek oponenta doc. Kolarik_disertace Mgr. et Mgr. Dallaev.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
review_135933.html
Size:
4.68 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
review_135933.html
Download
Collections
2021