Alternativní přístupy přípravy tenké vrstvy nitridu hliníku pomocí metody depozice atomárních vrstev
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
P
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Nitrid hliníku (AlN) je slibný polovodivý materiál s velkou mezerou v pásu. Tenké filmy AlN nacházejí uplatnění v různých elektronických a optoelektronických zařízeních. V první řadě je cílem výzkumu prezentovaného v rámci této disertační práce představit nové prekurzory do procesu ALD pro depozici tenkých vrstev AlN. Navrhované prekurzory jsou lepší než tradiční prekurzory buď v nákladové efektivnosti nebo reaktivitě. Část disertační práce je věnována prohloubení porozumění chemickým procesům, které probíhají během a po depozici. V tomto ohledu bylo navrženo pracovní řešení ke zlepšení chemického složení výsledných filmů a ke zmírnění nedostatků, například oxidace. Dalším důležitým aspektem této studie je důkladná analýza fenoménu vodíku v tenkých vrstvách AlN ALD. Vodíkové nečistoty byly zkoumány pomocí přesných a pokročilých technik patřících do skupin analýzy iontovým paprskem (IBA).
Aluminum nitride (AlN) is a promising semi-conductive material with a wide band gap. Thin films of AlN find implementation in a variety of electronic and optoelectronic devices. First and foremost, the aim of the research presented within the scope of this dissertation is to introduce new precursors into ALD process for deposition of AlN thin films. The proposed precursors are superior to traditional ones either in cost-efficiency or reactivity. A part of the dissertation is devoted to enhancement of the understanding of chemical processes which take place during and after deposition. In this regard, a working solution to improving the chemical composition of the resulting films, as well as ameliorating deficiencies, for instance, oxidization, has been proposed. Another important aspect of this study has to do with a thorough analysis of hydrogen phenomenon in AlN ALD thin films. Hydrogen impurities have been investigated with the use of accurate and advanced techniques belonging to ion-beam analysis (IBA) groups.
Aluminum nitride (AlN) is a promising semi-conductive material with a wide band gap. Thin films of AlN find implementation in a variety of electronic and optoelectronic devices. First and foremost, the aim of the research presented within the scope of this dissertation is to introduce new precursors into ALD process for deposition of AlN thin films. The proposed precursors are superior to traditional ones either in cost-efficiency or reactivity. A part of the dissertation is devoted to enhancement of the understanding of chemical processes which take place during and after deposition. In this regard, a working solution to improving the chemical composition of the resulting films, as well as ameliorating deficiencies, for instance, oxidization, has been proposed. Another important aspect of this study has to do with a thorough analysis of hydrogen phenomenon in AlN ALD thin films. Hydrogen impurities have been investigated with the use of accurate and advanced techniques belonging to ion-beam analysis (IBA) groups.
Description
Keywords
Tenké vrstvy, polovodičové materiály, nitrid hliníku, depozice atomové vrstvy, analýza chemického složení, analýza iontovým paprskem, silikonové substráty, vodíkové nečistoty, vysokoteplotní žíhání, charakterizace povrchu, Thin films, semiconductor materials, aluminum nitride, atomic layer deposition, chemical composition analysis, ion-beam analysis, silicon substrates, hydrogen impurities, high-temperature annealing, surface characterization
Citation
DALLAEV, R. Alternativní přístupy přípravy tenké vrstvy nitridu hliníku pomocí metody depozice atomárních vrstev [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2021.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
en
Study field
bez specializace
Comittee
prof. Ing. Pavel Koktavý, CSc. Ph.D. (předseda)
doc. RNDr. Milada Bartlová, Ph.D. (člen)
doc. Ing. Vlasta Sedláková, Ph.D. (člen)
doc. Ing. Jiří Vaněk, Ph.D. (člen)
Ing. Jan Prášek, Ph.D. (člen)
doc. Ing. Vladimír Kolařík, Ph.D. - oponent (člen)
Ing. Petr Kuberský, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2021-11-19
Defence
Doktorand prezentoval svoji doktorskou disertační práci, v prezentaci zdůraznil výsledky a původní přínosy. Prezentace proběhla na vysoce profesionální úrovni. Následně školitel doktoranda představil a zhodnotil jeho práci. Dále doktorand odpověděl na všechny otázky oponentů a následovala diskuze, v rámci které doktorand odpovídal na dotazy členů komise. Lze konstatovat, že všechny dotazy byly plně zodpovězeny. Komise se jednomyslně shodla, že obhajoba proběhla úspěšně.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení