Optimalizace zařízení pro měření studené emise elektronů z povrchu GaN nanokrystalů

Simple item page
but.committeeprof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Eduard Schmidt, CSc. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen)cs
but.defenceJak je definována výstupní práce? Můžete nakreslit energiovou strukturu kovu a polovodiče?cs
but.jazykčeština (Czech)
but.programAplikované vědy v inženýrstvícs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorMach, Jindřichcs
dc.contributor.authorHorák, Stanislavcs
dc.contributor.refereeKromka, Alexandercs
dc.date.created2018cs
dc.description.abstractTato práce se zabývá návrhem a optimalizací zařízení pro měření studené emise z nitrid galliových (GaN) nanokrystalů. Jako úvod do problematiky je provedena rešerše na téma autoemise elektronů se zaměřením na GaN. Následně byly v rámci práce navrženy, zkonstruovány a optimalizovány dvě varianty měřicího zařízení pro účely měření autoemisních vlastností. První úspěšné testování bylo provedeno během optimalizace na nanodrátech oxidu zinečnatého (ZnO). Zároveň s testováním probíhala příprava GaN nanokrystalů metodou molekulární svazkové epitaxe (MBE) na křemíkovém substrátu Si(111) s 2 nm oxidu křemičitého SiO2 a na měděném substrátu pokrytém grafenem. V poslední kapitole práce jsou uvedeny výsledky měření emise elektronů GaN nanokrystalů pomocí navrženého zařízení. Hodnoty studené emise jsou na závěr porovnány s dosavadním výzkumem v dané oblasti, což dokázalo dobré autoemisní vlastnosti GaN nanokrystalů na měděném substrátu pokrytém grafenem.cs
dc.description.abstractThis diploma thesis deals with the design and optimization of the device for measurement of field emission from gallium nitride (GaN) nanocrystals surface. The first part of the thesis is the topic review, which contains the introduction to the problematics of field emissio focused on GaN. Then there were designed, constructed and optimized two versions of the device for the measurement of field emission. Through the optimization phase, the first successful test has been performed with zinc oxide (ZnO) nanowires. Simultaneously GaN nanocrystals were fabricated on the silicon substrate Si(111) with 2 nm of silicon dioxide SiO2 and also on the copper foil covered by graphene by molecular beam epitaxy (MBE). In the last chapter, there are presented the results of the measurement for emission of GaN nanocrystals. Finally, this study is comparing results with the current research in the area of field emission, which displays the improved characteristics for field emission of GaN nanocrystals on the copper foil covered by graphene.en
dc.description.markAcs
dc.identifier.citationHORÁK, S. Optimalizace zařízení pro měření studené emise elektronů z povrchu GaN nanokrystalů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2018.cs
dc.identifier.other109741cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/83353
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrstvícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectGaN nanokrystalycs
dc.subjectstudená emisecs
dc.subjectFowlerova-Nordheimova teoriecs
dc.subjectkoeficient zesílení polecs
dc.subjectspouštěcí elektrické polecs
dc.subjectGaN nanocrystalsen
dc.subjectfield emissionen
dc.subjectFowler-Nordheim theoryen
dc.subjectfield enhancement factoren
dc.subjectturn-on fielden
dc.titleOptimalizace zařízení pro měření studené emise elektronů z povrchu GaN nanokrystalůcs
dc.title.alternativeOptimization of device for measurement field emission from GaN nanocrystals surfaceen
dc.typeTextcs
dc.type.drivermasterThesisen
dc.type.evskpdiplomová prácecs
dcterms.dateAccepted2018-06-18cs
dcterms.modified2018-06-20-15:32:01cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta strojního inženýrstvícs
sync.item.dbid109741en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2025.03.27 08:43:56en
sync.item.modts2025.01.15 23:41:37en
thesis.disciplineFyzikální inženýrství a nanotechnologiecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrstvícs
thesis.levelInženýrskýcs
thesis.nameIng.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 3 of 3
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
4.81 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
final-thesis.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
appendix-1.rar
Size:
1.37 MB
Format:
Unknown data format
Description:
appendix-1.rar
Download
Thumbnail Image
Name:
review_109741.html
Size:
11.19 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
file review_109741.html
Download
Collections
2018