HORÁK, S. Optimalizace zařízení pro měření studené emise elektronů z povrchu GaN nanokrystalů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2018.

Posudek vedoucího

Mach, Jindřich

Student se v rámci diplomové práce aktivně podílel na měření emisivity polovodičových nanokrystalických struktur (GaN, ZnO). Byla provedena rešeršní studie měření studeno katodových křivek. Dále byly provedeny návrhy dvou různých měřících hlav, které umožnily provádění emisních měření vzorků. V rámci diplomové práce byly připraveny pomocí metody IBAD-MBE série vzorků GaN nanokrystalů rostených na Si a grafenových substrátech za různých fyzikálních podmínek (teplota, čas depozice). Jednalo se o novou oblast studia prováděných experimentů na ústavu fyzikálního inženýrství v Brně. Práce studenta byla velmi intenzivní a snaživá. Proto lze konstatovat, že student splnil všechny úkoly zadání a projevoval nadměrný zájem o danou problematiku, proto studenta hodnotím známkou A.

Posudek oponenta

Kromka, Alexander

PředloŽená diplomová práce je zpracována pečlivě, přehledně a s výbornou formální a jazykovou ÚrovnÍ. Diplomová práce řeší problematiku návrhu, realizace a ověření funkčnosti vakuového zařízení pro mlěření studené emise elektronů z povrchu polovodičových materiálů, zejména GaN nanokrystalů. ReŠerlšníč ást diplomové práce je shrnuta v prvních 5 kapitolách. Sumarizuje tématiku teorie a experimentální charakterizace emise elektronů, popisuje vlastnosti GaN a technologii jeho vytváření, zejména nanokrystalů. RešeršníČáskt ončík apitolou tématicky zaměřenou na studenou emisi elektronů zrŮzných forem (anebo struktur) GaN a Zno. Exper.imentální část je shrnuta v kapitolách 6 aŽ 8' Kapitola 6 popisuje realizaci vakuového zařízení určeného k měření studené emise' Zároveň diskutuje úskalí a technická řešení jednotlivých částí zařízení. Uvedená kapitola je zdokumentována ve formě technických výkresů jednotlivých částí zařízení. Vkapitole 7 je shrnuta technologie vytváření GaN nanostruktur rozdělených do dvou skupin zhlediska pouŽitých různých procesních parametrů kjejich růstu, celkem 9 vzorků (5 a4). Samotné ověření funkčnosti zařízení je zdokumentováno v kapitole 8. Naměřené l-V závislosti studené emise jsou odborně vyhodnoceny a kriticky diskutovány v případě komplikovaného měření studené emise elektronů z GaN nanokrystalů deponovaných na Si podloŽkách. Jako elegantní přístup diplomanta se jeví vytváření GaN nanokrystalů na grafen-Cu podloŽkách, ktený býl prokázán jako vhodnější a reprodukovatelnější řešení s výhledem dalšího pokračovaní výzkum1t s potenciálním průmyslovým vyuŽitím. V diplomové práci je dŮleŽité pozitivně vyzdvihnout přehledné zpracování rešerŠníč ásti podloŽeno mnoŽstvím aŽ didakticky laděných obrázků, matematicky podloŽeného aparátu potřebného k vyhodnocení experimentálně naměřených l-V charakteristik emitorů a experimentální části. PředloŽená diplomová práce je dokladem toho, Že Bc. Stanislav Horák kompletně zvládl zadanou tematiku diplomové práce, projevil schopnost samostatně přemýšlet o daném tématu v širšÍm kontextu _ tj. zvládnutí komplexnosti a funkčnosti vakuovéh o zařízení (nakládaní vzorek, zakomponování Žíhaní ve vakuu, pruŽinové dorazy a nastavení reprodukovatelné vzdálenosti elektrod, apod'). Bc. Horák adekvátně pouŽil zvolené metodiky k charakterizaci a interpretaci dosaŽených výsledků. PředloŽenou diplomovou práci doporučuji k obhajobě a hodnotím: A (výborně). K práci mám pouze formální připomínky - vliv anglického originálu slov (např. slovo mobilita, str. '19), náhodné překlepy v textu nebo v skloňování (str. 2'1), drobné chybičky vlegendě 2 obrázkú a 1 nepřesnost v uvedené citaci'

eVSKP id 109741