Napěťové reference v bipolárním a CMOS procesu

Simple item page
but.committeeprof. Ing. Vladislav Musil, CSc. (předseda) doc. Ing. Pavel Legát, CSc. (místopředseda) Ing. Milan Šesták (člen) doc. Ing. Josef Šandera, Ph.D. (člen) doc. Ing. Vilém Kledrowetz, Ph.D. (člen)cs
but.defenceStudent seznámil státní zkušební komisi s cílem a řešením své diplomové práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta. Stručně a výstižně popsal tři druhy napěťových referencí na čipu, které byly v práci použity. Doplňující otázky komise na detaily obvodového řešení, strukturu reference typu BandGap, stabilitu referenčních zdrojů, použité trimování, parametry analýzy Monte Carlo, rozsah práce a správné názvosloví byly studentem také detailně zodpovězeny.cs
but.jazykčeština (Czech)
but.programElektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technikacs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorKadaňka, Petrcs
dc.contributor.authorKotrč, Václavcs
dc.contributor.refereeProkop, Romancs
dc.date.created2015cs
dc.description.abstractTato práce se zabývá návrhem napěťových referencí. Porovnává dosažené výsledky optimalizace bipolární reference typu Brokaw s referencemi MOSovými. Uvedená principiální schémata jsou vysvětlena, postupně rozdělena na úroveň základních bloků a analyzána pomocí Monte Carlo. Jsou zde také naznačeny postupy pro dosažení nižší odchylky referenčního napětí za účelem vynechání trimování obvodu při výrobě.cs
dc.description.abstractThis diploma thesis deals with precise design of Brokaw BandGap voltage reference comparing with MOS references. There is STEP BY STEP separation and analysis of proposed devices, using Monte Carlo analysis. There are also presented the methods for achieving a lower deviation of the output voltage for yielding device, which needs no trimming.en
dc.description.markAcs
dc.identifier.citationKOTRČ, V. Napěťové reference v bipolárním a CMOS procesu [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2015.cs
dc.identifier.other85702cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/39231
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectPřesný návrhcs
dc.subjectodchylkacs
dc.subjectnapěťové referencecs
dc.subjectBrokawcs
dc.subjectBandGapcs
dc.subjectPrecise designen
dc.subjectstandard deviationen
dc.subjectvoltage referenceen
dc.subjectBrokawen
dc.subjectBandGapen
dc.titleNapěťové reference v bipolárním a CMOS procesucs
dc.title.alternativeVoltage References in Bipolar and CMOS Processen
dc.typeTextcs
dc.type.drivermasterThesisen
dc.type.evskpdiplomová prácecs
dcterms.dateAccepted2015-06-09cs
dcterms.modified2015-06-15-07:23:08cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
sync.item.dbid85702en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2025.03.26 13:18:48en
sync.item.modts2025.01.17 13:02:33en
thesis.disciplineMikroelektronikacs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav mikroelektronikycs
thesis.levelInženýrskýcs
thesis.nameIng.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 2 of 2
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
2.9 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
final-thesis.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
review_85702.html
Size:
4.79 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
file review_85702.html
Download
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:
Download
Collections
2015