Příprava nízkodimenzionálních III-V polovodičů
| but.committee | prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen) doc. Mgr. Adam Dubroka, Ph.D. (člen) prof. Mgr. Dominik Munzar, Dr. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) doc. Ing. Stanislav Průša, Ph.D. (člen) | cs |
| but.defence | Po otázkách oponenta bylo diskutováno: Mechanické a elektrické vlastnosti nanomateriálů. Student otázku zodpověděl. | cs |
| but.jazyk | angličtina (English) | |
| but.program | Fyzikální inženýrství a nanotechnologie | cs |
| but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
| dc.contributor.advisor | Kolíbal, Miroslav | en |
| dc.contributor.author | Stanislav, Silvestr | en |
| dc.contributor.referee | Detz, Hermann | en |
| dc.date.created | 2021 | cs |
| dc.description.abstract | Tato diplomová práce se zabývá přípravou nanostruktur z indium arsenidu (InAs) pomocí metody molekulární svazkové epitaxe (MBE). Důraz je kladen na výrobu struktur ve formě nanodrátů na křemíkovém substrátu. V úvodní části práce je popsána motivace pro studium III-V polovodičů a konkrétně InAs. Následující kapitoly vysvětlují dva základní princpy tvorby nanodrátů. Experimentální část práce diskutuje možnost přípravy indiového katalyzátoru pro samokatalyzovaný růst InAs nanodrátů v konkrétní aparatuře MBE. Následuje prezentace výsledků růstu InAs nanodrátů mechanismem selektivní epitaxe (SAE). Nanodráty byly vyrobeny na substrátu s termálně dekomponovaným oxidem a rovněž na substrátech s litograficky připravenou oxidovou maskou. | en |
| dc.description.abstract | The diploma thesis deals with the preparation of nanostructures from indium arsenide (InAs) using the molecular beam epitaxy (MBE) method. Emphasis is placed on the production of structures in the form of nanowires on a silicon substrate. The introductory part of the thesis describes the motivation for the study of III-V semiconductors and specifically InAs. The following chapters explain two basic principles of nanowire formation. The experimental part of the work discusses the possibility of preparing an indium catalyst for self-seeded InAs nanowire growth in a specific MBE apparatus. The following part presents the results of InAs nanowires growth via the selective area epitaxy (SAE) mechanism. The nanowires were fabricated on a substrate with thermally decomposed silicon dioxide and on a substrate with a lithographically prepared silicon dioxide mask. | cs |
| dc.description.mark | A | cs |
| dc.identifier.citation | STANISLAV, S. Příprava nízkodimenzionálních III-V polovodičů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2021. | cs |
| dc.identifier.other | 132114 | cs |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/198321 | |
| dc.language.iso | en | cs |
| dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství | cs |
| dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
| dc.subject | nanodráty | en |
| dc.subject | arsenid inditý | en |
| dc.subject | InAs | en |
| dc.subject | selektivní epitaxe | en |
| dc.subject | SAE | en |
| dc.subject | vapour-liquid-solid růst | en |
| dc.subject | VLS | en |
| dc.subject | molekulární svazková epitaxe | en |
| dc.subject | MBE | en |
| dc.subject | katalytické nanočástice | en |
| dc.subject | nanowires | cs |
| dc.subject | indium arsenide | cs |
| dc.subject | InAs | cs |
| dc.subject | selective area epitaxy | cs |
| dc.subject | SAE | cs |
| dc.subject | vapour-liquid-solid growth | cs |
| dc.subject | VLS | cs |
| dc.subject | molecular beam epitaxy | cs |
| dc.subject | MBE | cs |
| dc.subject | catalytic nanoparticles | cs |
| dc.title | Příprava nízkodimenzionálních III-V polovodičů | en |
| dc.title.alternative | Preparation of low-dimensional III-V semiconductors | cs |
| dc.type | Text | cs |
| dc.type.driver | masterThesis | en |
| dc.type.evskp | diplomová práce | cs |
| dcterms.dateAccepted | 2021-06-15 | cs |
| dcterms.modified | 2021-06-21-08:20:22 | cs |
| eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta strojního inženýrství | cs |
| sync.item.dbid | 132114 | en |
| sync.item.dbtype | ZP | en |
| sync.item.insts | 2025.03.27 10:32:41 | en |
| sync.item.modts | 2025.01.15 20:50:15 | en |
| thesis.discipline | bez specializace | cs |
| thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrství | cs |
| thesis.level | Inženýrský | cs |
| thesis.name | Ing. | cs |