Depozice gallium-nitridových tenkých vrstev na křemíkové substráty strukturované elektronovou litografií
| but.committee | prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) | cs |
| but.defence | cs | |
| but.jazyk | čeština (Czech) | |
| but.program | Aplikované vědy v inženýrství | cs |
| but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
| dc.contributor.advisor | Voborný, Stanislav | cs |
| dc.contributor.author | Knotek, Miroslav | cs |
| dc.contributor.referee | Mach, Jindřich | cs |
| dc.date.accessioned | 2019-04-03T22:29:09Z | |
| dc.date.available | 2019-04-03T22:29:09Z | |
| dc.date.created | 2013 | cs |
| dc.description.abstract | Bakalářská práce se zabývá depozicí tenkých vrstev nitridu gallitého (GaN) na křemíkové substráty, které byly strukturovány elektronovou litografií. V práci jsou zkoumány možnosti použití rezistů pro selektivní růst nanostruktur za zvýšených teplot. | cs |
| dc.description.abstract | This bachelor's thesis deals with a fabrication of gallium nitride (GaN) thin films on silicon substrates, which were structured by electron beam lithography. In thesis, different resists for selective growth of nanostructures at elevated temperatures are examined. | en |
| dc.description.mark | B | cs |
| dc.identifier.citation | KNOTEK, M. Depozice gallium-nitridových tenkých vrstev na křemíkové substráty strukturované elektronovou litografií [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2013. | cs |
| dc.identifier.other | 64876 | cs |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/27902 | |
| dc.language.iso | cs | cs |
| dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství | cs |
| dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
| dc.subject | Nitrid gallia | cs |
| dc.subject | elektronová litografie | cs |
| dc.subject | depozice tenkých vrstev | cs |
| dc.subject | selektivní růst | cs |
| dc.subject | molekulární epitaxe | cs |
| dc.subject | pozitivní a negativní rezisty. | cs |
| dc.subject | Gallium nitride | en |
| dc.subject | electron beam lithography | en |
| dc.subject | deposition thin films | en |
| dc.subject | selective growth | en |
| dc.subject | molecular epitaxy | en |
| dc.subject | positive and negative resists. | en |
| dc.title | Depozice gallium-nitridových tenkých vrstev na křemíkové substráty strukturované elektronovou litografií | cs |
| dc.title.alternative | Gallium-nitride thin-film deposition on substrates structured by electron beam lithography | en |
| dc.type | Text | cs |
| dc.type.driver | bachelorThesis | en |
| dc.type.evskp | bakalářská práce | cs |
| dcterms.dateAccepted | 2013-06-19 | cs |
| dcterms.modified | 2013-06-24-12:06:46 | cs |
| eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta strojního inženýrství | cs |
| sync.item.dbid | 64876 | en |
| sync.item.dbtype | ZP | en |
| sync.item.insts | 2021.11.12 19:06:43 | en |
| sync.item.modts | 2021.11.12 18:32:27 | en |
| thesis.discipline | Fyzikální inženýrství a nanotechnologie | cs |
| thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrství | cs |
| thesis.level | Bakalářský | cs |
| thesis.name | Bc. | cs |