Kalibrace metody SIMS pomocí implantačních profilů
but.committee | prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) doc. Ing. Stanislav Průša, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) | cs |
but.defence | Po otázkách oponenta bylo dále diskutováno: Nejistoty měření u prezentovaných dat. | cs |
but.jazyk | slovenština (Slovak) | |
but.program | Aplikované vědy v inženýrství | cs |
but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
dc.contributor.advisor | Bábor, Petr | sk |
dc.contributor.author | Janák, Marcel | sk |
dc.contributor.referee | Průša, Stanislav | sk |
dc.date.accessioned | 2019-06-27T10:41:20Z | |
dc.date.available | 2019-06-27T10:41:20Z | |
dc.date.created | 2019 | cs |
dc.description.abstract | Táto bakalárska práca je zameraná na kvantitatívnu analýzu zastúpenia dopantov (C, H, Mg, O) v tranzistoroch AlGaN HEMT, vyrábaných metódou MOCVD, pomocou zariadenia TOF.SIMS 5 s céziovým a kyslíkovým odprašovaním. Dôvodom vývoja RSF metódy kvantifikácie merania SIMS sú ťažko predvídateľné javy preferenčného odprašovania a matricového efektu. Kalibračné vzorky, pripravené metódou iónovej implantácie do homogénnych a periodických štruktúr III-nitridov AlN a GaN, reprodukujeme simuláciou v programe ión-atómovej interakcie TRIM. Súčasťou práce je taktiež kvantifikácia matrice (AlGaN). | sk |
dc.description.abstract | This bachelor thesis is concerned with a quantitative analysis of the dopant (C, H, Mg, O) distribution in MOCVD-grown AlGaN HEMTs by TOF.SIMS 5 instrument with cesium and oxygen sputtering. The main reason for the development of RSF SIMS measurement quantification method is a hardly predictable phenomenon of preferential sputtering and matrix effect. Calibration samples, prepared by ion implantation technique into homogeneous and periodic III-nitride AlN, GaN structures, are reproduced by an ion-atom interaction program TRIM. A part of this work is likewise a quantification of AlGaN matrix. | en |
dc.description.mark | A | cs |
dc.identifier.citation | JANÁK, M. Kalibrace metody SIMS pomocí implantačních profilů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2019. | cs |
dc.identifier.other | 117577 | cs |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/179359 | |
dc.language.iso | sk | cs |
dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství | cs |
dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
dc.subject | Kvantitatívna analýza | sk |
dc.subject | dopant | sk |
dc.subject | AlGaN HEMT | sk |
dc.subject | MOCVD | sk |
dc.subject | TOF.SIMS 5 | sk |
dc.subject | céziové odprašovanie | sk |
dc.subject | kyslíkové odprašovanie | sk |
dc.subject | RSF metóda | sk |
dc.subject | preferenčné odprašovanie | sk |
dc.subject | matricový efekt | sk |
dc.subject | iónová implantácia | sk |
dc.subject | III-nitridy | sk |
dc.subject | TRIM | sk |
dc.subject | Quantitative analysis | en |
dc.subject | dopant | en |
dc.subject | AlGaN HEMT | en |
dc.subject | MOCVD | en |
dc.subject | TOF.SIMS 5 | en |
dc.subject | cesium sputtering | en |
dc.subject | oxygen sputtering | en |
dc.subject | RSF method | en |
dc.subject | preferential sputtering | en |
dc.subject | matrix effect | en |
dc.subject | ion implantation | en |
dc.subject | III Nitrides | en |
dc.subject | TRIM | en |
dc.title | Kalibrace metody SIMS pomocí implantačních profilů | sk |
dc.title.alternative | Calibration of SIMS method by implantation profiles | en |
dc.type | Text | cs |
dc.type.driver | bachelorThesis | en |
dc.type.evskp | bakalářská práce | cs |
dcterms.dateAccepted | 2019-06-21 | cs |
dcterms.modified | 2019-06-21-14:08:43 | cs |
eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta strojního inženýrství | cs |
sync.item.dbid | 117577 | en |
sync.item.dbtype | ZP | en |
sync.item.insts | 2021.11.12 16:09:52 | en |
sync.item.modts | 2021.11.12 14:54:55 | en |
thesis.discipline | Fyzikální inženýrství a nanotechnologie | cs |
thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrství | cs |
thesis.level | Bakalářský | cs |
thesis.name | Bc. | cs |