Kalibrace metody SIMS pomocí implantačních profilů

Abstract

Táto bakalárska práca je zameraná na kvantitatívnu analýzu zastúpenia dopantov (C, H, Mg, O) v tranzistoroch AlGaN HEMT, vyrábaných metódou MOCVD, pomocou zariadenia TOF.SIMS 5 s céziovým a kyslíkovým odprašovaním. Dôvodom vývoja RSF metódy kvantifikácie merania SIMS sú ťažko predvídateľné javy preferenčného odprašovania a matricového efektu. Kalibračné vzorky, pripravené metódou iónovej implantácie do homogénnych a periodických štruktúr III-nitridov AlN a GaN, reprodukujeme simuláciou v programe ión-atómovej interakcie TRIM. Súčasťou práce je taktiež kvantifikácia matrice (AlGaN).This bachelor thesis is concerned with a quantitative analysis of the dopant (C, H, Mg, O) distribution in MOCVD-grown AlGaN HEMTs by TOF.SIMS 5 instrument with cesium and oxygen sputtering. The main reason for the development of RSF SIMS measurement quantification method is a hardly predictable phenomenon of preferential sputtering and matrix effect. Calibration samples, prepared by ion implantation technique into homogeneous and periodic III-nitride AlN, GaN structures, are reproduced by an ion-atom interaction program TRIM. A part of this work is likewise a quantification of AlGaN matrix.