Depozice Ga a GaN ultratenkých vrstev na grafenový substrát

Simple item page
but.committeeprof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)cs
but.jazykčeština (Czech)
but.programAplikované vědy v inženýrstvícs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorMach, Jindřichcs
dc.contributor.authorDvořák, Martincs
dc.contributor.refereeNebojsa, Aloiscs
dc.date.created2013cs
dc.description.abstractTato diplomová práce se zabývá přípravou grafenových vrstev pro depozice ultratenkých vrstev gallia a jeho nitridu. Grafenové substráty jsou připravovány metodou chemické depozice z plynné fáze ve vysokoteplotním reaktoru postaveném na Ústavu Fyzikální inženýrství. Po přenosu grafenových vrstev na křemíkové substráty, byla provedena série chemických a tepelných čištění povrchu grafenu. Takto připravené vzorky jsou vhodné pro studium růst ultratenkých vrstev Ga a GaN. Růst Ga a GaN byl realizován v prostředí ultravysokého vakua metodami molekulární svazkové epitaxe pro depozici gallia, respektive pomocí iontového zdroje pro nitridaci. Výsledné ultratenké vrstvy byly studovány metodami rentgenové fotospektroskopie, mikroskopií atomárních sil a rastrovacím elektronovým mikroskopem.cs
dc.description.abstractThis diploma thesis deals with preparation of graphene samples for depositions of ultrathin layers of gallium and gallium nitride. Graphene substrates were prepared by chemical vapour deposition in home-build high temperature reactor. After graphene transfer to silicon wafers, a series of chemical and thermal treatments were performed. Obtained samples were suitable for the study of growth of ultrathin layers of Ga and GaN. The growth of Ga and GaN was realized in ultra high vacuum conditions. Molecular beam epitaxy technique was used for gallium depositions together with ion source for nitridation. Obtained ultrathin layers were studied with X-ray photoelectron spectroscopy, atomic force microscopy and with scanning electron microscopy.en
dc.description.markAcs
dc.identifier.citationDVOŘÁK, M. Depozice Ga a GaN ultratenkých vrstev na grafenový substrát [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2013.cs
dc.identifier.other64822cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/27952
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrstvícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectgrafencs
dc.subjectgalliumcs
dc.subjectnitridy galliacs
dc.subjectrůst ultratenkých vrstvevcs
dc.subjectMBEcs
dc.subjectnitridacecs
dc.subjectgrapheneen
dc.subjectgalliumen
dc.subjectgallium nitrideen
dc.subjectultrathin layer growthen
dc.subjectMBEen
dc.subjectnitridationen
dc.titleDepozice Ga a GaN ultratenkých vrstev na grafenový substrátcs
dc.title.alternativeDeposition of Ga and GaN ultrathin layers on graphene substrateen
dc.typeTextcs
dc.type.drivermasterThesisen
dc.type.evskpdiplomová prácecs
dcterms.dateAccepted2013-06-17cs
dcterms.modified2013-06-24-14:29:05cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta strojního inženýrstvícs
sync.item.dbid64822en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2025.03.27 07:48:33en
sync.item.modts2025.01.15 14:08:57en
thesis.disciplineFyzikální inženýrství a nanotechnologiecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrstvícs
thesis.levelInženýrskýcs
thesis.nameIng.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 2 of 2
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
5.16 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
final-thesis.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
review_64822.html
Size:
7.72 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
file review_64822.html
Download
Collections
2013