Sekvenční růst GaN nanokrystalů na substrát SiO2 modifikovaný metodou FIB

Simple item page
but.committeeprof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)cs
but.defencecs
but.jazykčeština (Czech)
but.programAplikované vědy v inženýrstvícs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorMach, Jindřichcs
dc.contributor.authorFlajšmanová, Janacs
dc.contributor.refereeVoborný, Stanislavcs
dc.date.accessioned2019-04-03T22:29:03Z
dc.date.available2019-04-03T22:29:03Z
dc.date.created2013cs
dc.description.abstractTato bakalářská práce je zaměřena na selektivní růst gallia (Ga) a nitridu gallia (GaN). V teoretické části je stručně popsán růst ultratenkých vrstev s ohledem na GaN a techniky jeho přípravy. Experimentální část se zabývá depozicemi Ga a GaN na křemíkový substrát Si(1 1 1). Substrát s nativní vrstvou oxidu křemičitého (SiO2) byl modifikován fokusovaným iontovým svazkem (FIB). GaN bylo deponováno sekvenčně užitím procesu postnitridace. Vzorky byly studovány mikroskopem atomárních sil (AFM), rentgenovou fotoelektronovou spektroskopií (XPS) a rastrovacím elektronovým mikroskopem (SEM).cs
dc.description.abstractThis bachelor's thesis deals with the selective growth of gallium (Ga) and gallium nitride (GaN). In theoretical part, there is a brief description of growth of ultrathin films with respect to GaN and their manufacturing. Experimental part is aimed to the deposition of Ga and GaN on silicon substrates Si(1 1 1). Substrates with the native silicon dioxide layer (SiO2) were modified by focused ion beam (FIB). GaN was deposited by pulsed deposition followed by postnitridation. Prepared samples were studied by atomic force microscope (AFM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and scanning electron microscope (SEM).en
dc.description.markAcs
dc.identifier.citationFLAJŠMANOVÁ, J. Sekvenční růst GaN nanokrystalů na substrát SiO2 modifikovaný metodou FIB [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2013.cs
dc.identifier.other64814cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/27965
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrstvícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectGacs
dc.subjectGaNcs
dc.subjectselektivní růstcs
dc.subjectsekvenční depozicecs
dc.subjectpostnitridacecs
dc.subjectFIBcs
dc.subjectiontově-atomární zdrojcs
dc.subjectefúzní celacs
dc.subjectXPS.cs
dc.subjectGaen
dc.subjectGaNen
dc.subjectselective growthen
dc.subjectpulse depositionen
dc.subjectpostnitridationen
dc.subjectFIBen
dc.subjection-atomic sourceen
dc.subjecteffusion cellen
dc.subjectXPS.en
dc.titleSekvenční růst GaN nanokrystalů na substrát SiO2 modifikovaný metodou FIBcs
dc.title.alternativeSequential growth of GaN nanocrystals on SiO2 substrate modified by FIB methoden
dc.typeTextcs
dc.type.driverbachelorThesisen
dc.type.evskpbakalářská prácecs
dcterms.dateAccepted2013-06-19cs
dcterms.modified2013-06-24-12:06:44cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta strojního inženýrstvícs
sync.item.dbid64814en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2021.11.12 18:06:45en
sync.item.modts2021.11.12 17:17:12en
thesis.disciplineFyzikální inženýrství a nanotechnologiecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrstvícs
thesis.levelBakalářskýcs
thesis.nameBc.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 2 of 2
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
6.44 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
final-thesis.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
review_64814.html
Size:
9.87 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
review_64814.html
Download
Collections
2013