Příprava grafenových vrstev pokrytých Ga atomy a charakterizace jejich elektrických vlastností

Abstract

Tato diplomová práce se zabývá studiem charakterizace elektrických vlastností grafenových vrstev pokrytých Ga atomy. Substráty s elektrickými kontakty byly připraveny laserovou litografií a grafenová vrstva byla připravena pomocí metody chemické depozice z plynné fáze (CVD). Experimentálně byla zkoumán posuv Diracova bodu v závislosti na době depozice atomů galia na povrch grafenu. Byl také zkoumán vliv depozice atomárního vodíku na povrch grafenu. Výsledky měření a jejich zhodnocení jsou diskutovány v této práci.This master's thesis deals with the study of electric properties of graphene layers covered by Ga atoms in UHV conditions. The substrates were prepared by using laser litography and the graphene layer was prepared by using chemical vapor deposition (CVD). Dependence of Dirac point location on gallium atoms deposition time and influence of electrical properties of graphene on hydrogen atoms deposition time were studied. Experimental results and their evaluation are discussed.