Optimalizace procesu kontaktování CMOS čipů pro vyšší proudové zatížení

Simple item page
but.committeeprof. Ing. Vladislav Musil, CSc. (předseda) Doc. Ing. Ladislav Hulényi, Ph.D. - oponent (člen) doc. Ing. Jan Maschke, CSc. (člen) doc. Ing. Ivan Szendiuch, CSc. (člen) Doc. Ing. Petr Mach, CSc. - oponent (člen) prof. RNDr. Vladislav Navrátil, CSc. (člen)cs
but.jazykčeština (Czech)
but.programElektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technikacs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorSzendiuch, Ivancs
dc.contributor.authorNovotný, Marekcs
dc.contributor.refereeMach,, Pavelcs
dc.contributor.refereeHulenyi,, Ladislavcs
dc.date.created2009cs
dc.description.abstractPráce se zabývá výzkumem kontaktování polovodičových čipů se zaměřením na vyšší proudy až do 10A. Podrobně je rozebrána problematika drátkového propojení čipů (wirebonding). První část práce se věnuje modelování a simulaci v pomocném programu ANSYS, zejména v oblasti termomechanického namáhání a proudové hustoty pro zkoumané vzorky. Výsledkem je rozložení pnutí pro jednotlivé druhy připojení a rozložení hustoty proudu. Experimentální část zkoumá přechodový odpor, elektromigraci a teplotní děje na spojení drátku a čipu. Pro měření je použit regulovaný proudový zdroj 0-10A s možností 4-bodového měření se vzorkovací frekvencí až 1,5MHz.cs
dc.description.abstractThis work deals with silicon chip interconnection with a view to high current up to 10A. A wire bonding method is used for interconnection. The first part of investigation is focused on the modeling and simulation by the help of program ANSYS. Thermo mechanical stressing and current density is important parts of this research. Stress and current density distribution are results of the first part. The experimental part describes transition resistance, electro migration and thermal process in the connection of wire and chip pad. A controlled current source (0 – 10A) is used for measurement. The current source makes it possible to 4-point method measurement with sampling rate 1,5MHz.en
dc.description.markPcs
dc.identifier.citationNOVOTNÝ, M. Optimalizace procesu kontaktování CMOS čipů pro vyšší proudové zatížení [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2009.cs
dc.identifier.other26074cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/13940
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectkontaktovánícs
dc.subjectproudová hustotacs
dc.subjectdrátkové propojenícs
dc.subjectANSYScs
dc.subjectpřechodový odporcs
dc.subjectinterconnectionen
dc.subjectcurrent densityen
dc.subjectwire bondingen
dc.subjectANSYSen
dc.subjecttransition resistanceen
dc.titleOptimalizace procesu kontaktování CMOS čipů pro vyšší proudové zatíženícs
dc.title.alternativeOptimalization of CMOS Chip Interconnection Process for Higher Current Loaden
dc.typeTextcs
dc.type.driverdoctoralThesisen
dc.type.evskpdizertační prácecs
dcterms.dateAccepted2009-12-14cs
dcterms.modified2009-12-17-10:13:17cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
sync.item.dbid26074en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2025.03.27 11:53:30en
sync.item.modts2025.01.15 17:16:45en
thesis.disciplineMikroelektronika a technologiecs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav mikroelektronikycs
thesis.levelDoktorskýcs
thesis.namePh.D.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 3 of 3
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
4.77 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
final-thesis.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
thesis-1.pdf
Size:
678.37 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
thesis-1.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
review_26074.html
Size:
15.42 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
file review_26074.html
Download
Collections
2009