Elektrické vlastnosti vícevrstvých struktur s aktivní vrstvou bezolovnatých perovskitů
| but.committee | prof. Ing. Martina Klučáková, Ph.D. (předseda) doc. Ing. Vojtěch Enev, Ph.D. (člen) prof. RNDr. František Krčma, Ph.D. (člen) doc. Ing. Zdenka Kozáková, Ph.D. (člen) doc. Ing. Petr Dzik, Ph.D. (člen) doc. Ing. Filip Mravec, Ph.D. (místopředseda) | cs |
| but.defence | Obhajoba proběhla podle následujícího schématu: prezentace studentky-vyjádření vedoucí/ho-oponentský posudek-reakce na posudek-diskuse s komisí. Studentka přednesla výborný výtah výsledků své bakalářské práce, řádně zodpověděla všechny dotazy oponentské i členů komise, pohotově reagovala na připomínky. V diskusi tak studentka prokázala výbornou schopnost orientace v teoretických i praktických základech problematiky bakalářské práce. Komise zhodnotila její bakalářskou práci celkově jako výbornou. | cs |
| but.jazyk | čeština (Czech) | |
| but.program | Chemie a chemické technologie | cs |
| but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
| dc.contributor.advisor | Pospíšil, Jan | cs |
| dc.contributor.author | Petlachová, Natálie | cs |
| dc.contributor.referee | Novák, Vítězslav | cs |
| dc.date.accessioned | 2025-06-13T03:57:54Z | |
| dc.date.available | 2025-06-13T03:57:54Z | |
| dc.date.created | 2025 | cs |
| dc.description.abstract | Bakalářská práce je zaměřena na perovskitové materiály a jejich využití v optoelektrických zařízeních, kde představují jednu z nejperspektivnějších oblastí. Teoretická část se zabývá strukturou a vlastnostmi perovskitů, a především pokroky těchto materiálů v optoelektrických aplikacích. V experimentální části byly připraveny vícevrstvé struktury za účelem zhotovení memristoru a s využitím perovskitu jako aktivní vrstvy. Do struktury ITO/Perovskit/PMMA/Ag byl zahrnut jak hybridní olovnatý perovskit MAPbI3, tak i bezolovnatý Cs3Bi2I9 a Cs3Sb2I9. V rámci těchto struktur byl zkoumán i možný vliv enkapsulace na výsledný výkon zařízení. U bismutového perovskitu byl navíc sledován potenciální rozdíl v chování při záměně stříbrné elektrody za uhlíkovou. Metodou UV-Vis spektrofotometrie byly studovány optické vlastnosti tenkých vrstev perovskitů a měřením voltampérových charakteristik byly zkoumány elektrické vlastnosti zařízení. Výsledky ukazují na olovnatý perovskit ve struktuře bez enkapsulace jako na vhodnější materiál pro aplikace do memristorů, neboť jako jediný vykazoval očekávané hysterezní chování, které je u memristorových zařízeních hlavním indikátorem funkčnosti. | cs |
| dc.description.abstract | The bachelor's thesis is focused on perovskite materials and their use in optoelectronic devices, where they represent one of the most promising areas. The theoretical part deals with the structure and properties of perovskites, with an emphasis on advancements of these materials in optoelectronic applications. In the experimental part, multilayer structures were prepared to fabricate a memristor using perovskite as the active layer. Both the hybrid lead perovskite MAPbI3 and the lead-free Cs3Bi2I9 and Cs3Sb2I9 were included in the ITO/Perovskite/PMMA/Ag structure. Within these structures, the possible influence of encapsulation on the device's performance was also investigated. In addition, for bismuth-based perovskite, the potential difference in behavior when replacing the silver electrode with a carbon one was monitored. The optical properties of perovskite thin films were examined by UV-Vis spectrophotometry, and the electrical properties of devices were investigated by measuring current-voltage characteristics. The results indicate that the lead-based perovskite in the non-encapsulated structure is a more suitable material for memristor applications, as it was the only one to exhibit the expected hysteresis behavior, which is the main indicator of functionality in memristor devices. | en |
| dc.description.mark | A | cs |
| dc.identifier.citation | PETLACHOVÁ, N. Elektrické vlastnosti vícevrstvých struktur s aktivní vrstvou bezolovnatých perovskitů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta chemická. 2025. | cs |
| dc.identifier.other | 161569 | cs |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/11012/252177 | |
| dc.language.iso | cs | cs |
| dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta chemická | cs |
| dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
| dc.subject | Perovskity | cs |
| dc.subject | perovskitové vícevrstvé struktury | cs |
| dc.subject | tenké vrstvy | cs |
| dc.subject | MAPbI3 | cs |
| dc.subject | Cs3Bi2I9 | cs |
| dc.subject | Cs3Sb2I9 | cs |
| dc.subject | absorpční spektra | cs |
| dc.subject | memristory | cs |
| dc.subject | voltampérové charakteristiky | cs |
| dc.subject | Perovskites | en |
| dc.subject | perovskite multilayer structures | en |
| dc.subject | thin films | en |
| dc.subject | MAPbI3 | en |
| dc.subject | Cs3Bi2I9 | en |
| dc.subject | Cs3Sb2I9 | en |
| dc.subject | absorption spectra | en |
| dc.subject | memristors | en |
| dc.subject | current-voltage characteristics | en |
| dc.title | Elektrické vlastnosti vícevrstvých struktur s aktivní vrstvou bezolovnatých perovskitů | cs |
| dc.title.alternative | Electrical properties of multilayer structures with an active layer of lead-free perovskites | en |
| dc.type | Text | cs |
| dc.type.driver | bachelorThesis | en |
| dc.type.evskp | bakalářská práce | cs |
| dcterms.dateAccepted | 2025-06-12 | cs |
| dcterms.modified | 2025-06-12-16:10:18 | cs |
| eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta chemická | cs |
| sync.item.dbid | 161569 | en |
| sync.item.dbtype | ZP | en |
| sync.item.insts | 2025.06.13 05:57:54 | en |
| sync.item.modts | 2025.06.13 05:34:01 | en |
| thesis.discipline | bez specializace | cs |
| thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta chemická. Ústav fyzikální a spotřební chemie | cs |
| thesis.level | Bakalářský | cs |
| thesis.name | Bc. | cs |