Optimalizace vysokofrekvenčního atomárního disociačního zdroje pro depozici GaN

Abstract

Táto bakalárska práca sa zaoberá sprevádzkovaním a optimalizáciou vysokofrekvenčného atomárneho disociačného zdroja dusíka pre depozíciu GaN. Teoretická časť sa zaoberá atomárnymi zdrojmi, rastom ultratenkých vrstiev a problematikou vysokofrekvenčných obvodov, s dôrazom na ich návrh pomocou Smithových diagramov. Taktiež pojednáva o metódach prípravy GaN ultratenkých vrstiev a nanostĺpcov. V experimentálnej časti je popísaný návrh a samotná realizácia rôznych kongurácii vyrovnávacej jednotky impedancie pre atomárny zdroj dusíku. Pomocou tejto vyrovnávacej jednotky bolo dosiahnuté zapálenie dusíkovej plazmy a bolo analyzované jej spektrum. Následne je popísaný návrh a realizácia ovládania vyrovnávacej jednotky pomocou krokových motorov.This thesis is focused on construction and optimization of radiofrequency atomic dissociation source of atomic nitrogen for depostion of GaN. The theoretical part deals with atomic sources, growth of ultrathin layers and the issue of radiofrequency circuits, with emphasis on their design using Smith chart. Methods for synthesis of GaN ultrathin layers and deposition are also discussed. In the experimental part, design and realization of various congurations of the impedance matching network is described. Using the impedance matching network a nitrogen plasma discharge was successfuly created and its spectrum was analysed. Afterwards, design and realization of a stepper motor control for the impedance matching network is described.