Depozice GaN nanokrystalů s Ga nanočásticemi
| but.committee | prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) doc. Ing. Stanislav Průša, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) | cs |
| but.defence | Po otázkách oponenta bylo dále diskutováno: Jak byly určeny nejistoty měření? | cs |
| but.jazyk | čeština (Czech) | |
| but.program | Aplikované vědy v inženýrství | cs |
| but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
| dc.contributor.advisor | Mach, Jindřich | cs |
| dc.contributor.author | Novák, Jakub | cs |
| dc.contributor.referee | Voborný, Stanislav | cs |
| dc.date.accessioned | 2019-06-27T10:41:19Z | |
| dc.date.available | 2019-06-27T10:41:19Z | |
| dc.date.created | 2019 | cs |
| dc.description.abstract | Tato bakalářská práce se zabývá přípravou a charakterizací Ga struktur a GaN nanokrystalů. V teoretické části jsou představeny vlastnosti a také aplikace GaN. Dále jsou uvedeny některé substráty pro růst a také techniky používané pro výrobu těchto struktur. Je zmíněna také fotoluminiscence GaN. Experimentální část se zabývá přípravou jednak Ga struktur a GaN nanokrystalů, ale také spojením obou těchto struktur. Tyto vyrobené struktury byly analyzovány pomocí různých metod, jako je XPS, SEM či fotoluminiscence. | cs |
| dc.description.abstract | This bachelor thesis deals with preparation and characterization of Ga structures and GaN nanocrystals. In the theoretical part, properties and applications of GaN are introduced. Further, some substrates for the growth and some techniques used for manufacturing of these structures are stated. Further, is also mentioned the photoluminiscence of GaN. The experimental part deals with preparation of Ga and GaN structures and combination of both. These structures were further analyzed by various methods such as XPS, SEM or photoluminiscence. | en |
| dc.description.mark | A | cs |
| dc.identifier.citation | NOVÁK, J. Depozice GaN nanokrystalů s Ga nanočásticemi [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2019. | cs |
| dc.identifier.other | 117475 | cs |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/179354 | |
| dc.language.iso | cs | cs |
| dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství | cs |
| dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
| dc.subject | GaN | cs |
| dc.subject | nanokrystaly | cs |
| dc.subject | Ga | cs |
| dc.subject | fotoluminiscence | cs |
| dc.subject | IBAD | cs |
| dc.subject | GaN | en |
| dc.subject | nanocrystals | en |
| dc.subject | Ga | en |
| dc.subject | photoluminiscence | en |
| dc.subject | IBAD | en |
| dc.title | Depozice GaN nanokrystalů s Ga nanočásticemi | cs |
| dc.title.alternative | Deposition of GaN nanocrystals with Ga droplets | en |
| dc.type | Text | cs |
| dc.type.driver | bachelorThesis | en |
| dc.type.evskp | bakalářská práce | cs |
| dcterms.dateAccepted | 2019-06-20 | cs |
| dcterms.modified | 2019-06-21-14:08:44 | cs |
| eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta strojního inženýrství | cs |
| sync.item.dbid | 117475 | en |
| sync.item.dbtype | ZP | en |
| sync.item.insts | 2021.11.12 19:08:07 | en |
| sync.item.modts | 2021.11.12 18:37:35 | en |
| thesis.discipline | Fyzikální inženýrství a nanotechnologie | cs |
| thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrství | cs |
| thesis.level | Bakalářský | cs |
| thesis.name | Bc. | cs |