Depozice GaN nanokrystalů s Ga nanočásticemi
Loading...
Date
Authors
ORCID
Advisor
Referee
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstract
Tato bakalářská práce se zabývá přípravou a charakterizací Ga struktur a GaN nanokrystalů. V teoretické části jsou představeny vlastnosti a také aplikace GaN. Dále jsou uvedeny některé substráty pro růst a také techniky používané pro výrobu těchto struktur. Je zmíněna také fotoluminiscence GaN. Experimentální část se zabývá přípravou jednak Ga struktur a GaN nanokrystalů, ale také spojením obou těchto struktur. Tyto vyrobené struktury byly analyzovány pomocí různých metod, jako je XPS, SEM či fotoluminiscence.
This bachelor thesis deals with preparation and characterization of Ga structures and GaN nanocrystals. In the theoretical part, properties and applications of GaN are introduced. Further, some substrates for the growth and some techniques used for manufacturing of these structures are stated. Further, is also mentioned the photoluminiscence of GaN. The experimental part deals with preparation of Ga and GaN structures and combination of both. These structures were further analyzed by various methods such as XPS, SEM or photoluminiscence.
This bachelor thesis deals with preparation and characterization of Ga structures and GaN nanocrystals. In the theoretical part, properties and applications of GaN are introduced. Further, some substrates for the growth and some techniques used for manufacturing of these structures are stated. Further, is also mentioned the photoluminiscence of GaN. The experimental part deals with preparation of Ga and GaN structures and combination of both. These structures were further analyzed by various methods such as XPS, SEM or photoluminiscence.
Description
Citation
NOVÁK, J. Depozice GaN nanokrystalů s Ga nanočásticemi [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2019.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Fyzikální inženýrství a nanotechnologie
Comittee
prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda)
prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda)
doc. Ing. Stanislav Průša, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen)
prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen)
doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen)
RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)
Date of acceptance
2019-06-20
Defence
Po otázkách oponenta bylo dále diskutováno:
Jak byly určeny nejistoty měření?
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení