Magnetické multivrstvy pro aplikace ve spintronice

Abstract

Magnetické multivrstvy jsou využitelné jako senzory magnetického pole nebo jako paměťové buňky v záznamových médiích. Zvládnutí metod přípravy a charakterizace struktur jako spin valve nebo magnetický tunelový článek je důležitý krok pro výzkum složitějších spintronických zařízení. Práce shrnuje základní teorii magnetismu, magnetotransportních vlastností a popisuje základní aplikace magnetických multivrstev. V experimentální části práce je popsána příprava magnetických multivrstev metodou iontového naprašování (IBS) s možností depozice s asistujícím iontovým svazkem (IBAD) a dále charakterizace těchto vrstev pomocí měření jevů anizotropní magnetorezistence (AMR), obří magnetorezistence (GMR) a tunelové magnetorezistence (TMR).Magnetic multilayers have applications as magnetic field sensors or magnetic memory cells. Mastering the methods of fabrication and characterization of the structures such as spin valve or magnetic tunnel junction is an important step towards more complicated spintronics devices. This work summarizes basic theory of magnetism, magnetotransport properties, and it describes basic applications of magnetic multilayers. The experimental part of this work deals with the sample preparation by ion beam sputtering (IBS), ion beam assisted deposition (IBAD), and characterization of prepared multilayers by measuring anisotropic magnetoresistance (AMR), giant magnetoresistance (GMR), or tunnel magnetoresistance (TMR).