Budiče spínacích výkonových tranzistorů GaN MOSFET

Simple item page
but.committeedoc. Dr. Ing. Miroslav Patočka (předseda) doc. Ing. František Veselka, CSc. (místopředseda) Ing. Jiří Valenta, Ph.D. (člen) Ing. Dalibor Červinka, Ph.D. (člen) doc. Ing. Pavel Vorel, Ph.D. (člen) doc. Ing. Radoslav Cipín, Ph.D. (člen)cs
but.defenceStudent obhajoval diplomovou práci na téma Budiče spínacích výkonových tranzistorů GaN MOSFET. Prezentaci začíná popisem struktury práce. Dále pokračuje popisem budiče tranzistoru s naměřenými průběhy. Ukazuje schéma silové části. Dále popisuje netradiční výkonový transformátor na feritové tyčce. Představuje řešení chlazení tranzistorů. Ukazuje fotku funkčního vzorku a poté naměřené průběhy, následuje závěr. Všechny otázky oponenta jsou odpovězeny ke spokojenosti komise. Na otázky v diskuzi student odpovídá přijatelným způsobem, u jedné otázky odpovídá poněkud nejistě.cs
but.jazykčeština (Czech)
but.programElektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technikacs
but.resultpráce byla úspěšně obhájenacs
dc.contributor.advisorVorel, Pavelcs
dc.contributor.authorFiala, Zbyněkcs
dc.contributor.refereePazdera, Ivocs
dc.date.accessioned2019-05-17T03:31:12Z
dc.date.available2019-05-17T03:31:12Z
dc.date.created2016cs
dc.description.abstractPráce popisuje postup při návrhu budicích obvodů pro GaN MOSFET tranzistory, které jsou známé především díky schopnosti rychlého spínání. V úvodu práce je nejprve rozebrána a popsána problematika GaN MOSFET tranzistorů a rovněž práce srovnává různé typy MOSFET tranzistorů z hlediska jejich elektrických i mechanických vlastností. Dále je zvolen konkrétní typ budicího obvodu, který byl vybrán v semestrální práci. K ověření činnosti tohoto budicího obvodu byl navržen spínaný zdroj s výstupním výkonem 600W a velikou pracovní frekvencí 800kHz jako pokusný měřící obvod, který byl po zkonstruování oživen, a bylo na něm provedeno kontrolní měření. Zachycené průběhy pomocí osciloskopu jsou následně okomentovány. Závěrem práce je zhodnocení nabytých poznatků o této nové technologii výkonových spínacích tranzistorů.cs
dc.description.abstractThe thesis describes the procedure during the proposal of the driver circuits for the GaN MOSFET transistors, which are known for their fast switching especially. In the first instance of this thesis the issue of GaN MOSFET transistors is described and also the thesis describes the different types of MOSFET transistors in the way of their electrical and mechanical attributes. The specific type driver circuit is stated in the thesis, which was selected in the semestral thesis. For this circuit the boost converter with an output power 600W and high switching frequency 800kHz was proposed as an attempt measurement circuit. This boost converter was measured after its construction was done. The waveforms captured by the oscilloscope are commented also. In the conclusion the assessment is done about this new technology of power switching transistors.en
dc.description.markAcs
dc.identifier.citationFIALA, Z. Budiče spínacích výkonových tranzistorů GaN MOSFET [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2016.cs
dc.identifier.other91240cs
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11012/59849
dc.language.isocscs
dc.publisherVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
dc.rightsStandardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezenícs
dc.subjectAnténacs
dc.subjectbudicí obvodcs
dc.subjectbudičcs
dc.subjectGaNcs
dc.subjectGS66508Pcs
dc.subjectimpulsnícs
dc.subjectMOSFETcs
dc.subjectrozptylová indukčnostcs
dc.subjectspínacícs
dc.subjecttoroidnícs
dc.subjecttransformátorekcs
dc.subjecttranzistorcs
dc.subjectvysoká frekvencecs
dc.subjectvýkonovýcs
dc.subjectřízenícs
dc.subjectspínanýcs
dc.subjectúčinnostcs
dc.subjectzdrojcs
dc.subjectAerialen
dc.subjectboosten
dc.subjectconverteren
dc.subjectdriver circuiten
dc.subjectdrivingen
dc.subjectefficiencyen
dc.subjectGaNen
dc.subjectGS66508Pen
dc.subjecthigh frequencyen
dc.subjectimpulseen
dc.subjectleakage inductanceen
dc.subjectMOSFETen
dc.subjectpoweren
dc.subjectswitchingen
dc.subjecttoroidalen
dc.subjecttransformeren
dc.subjecttransistoren
dc.titleBudiče spínacích výkonových tranzistorů GaN MOSFETcs
dc.title.alternativeDrivers for power switching transistors GaN MOSFETen
dc.typeTextcs
dc.type.drivermasterThesisen
dc.type.evskpdiplomová prácecs
dcterms.dateAccepted2016-06-08cs
dcterms.modified2016-06-10-12:57:24cs
eprints.affiliatedInstitution.facultyFakulta elektrotechniky a komunikačních technologiícs
sync.item.dbid91240en
sync.item.dbtypeZPen
sync.item.insts2021.11.12 11:13:40en
sync.item.modts2021.11.12 10:43:28en
thesis.disciplineSilnoproudá elektrotechnika a výkonová elektronikacs
thesis.grantorVysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav výkonové elektrotechniky a elektronikycs
thesis.levelInženýrskýcs
thesis.nameIng.cs
Files
Original bundle
Now showing 1 - 3 of 3
Thumbnail Image
Name:
final-thesis.pdf
Size:
3.48 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
final-thesis.pdf
Download
Thumbnail Image
Name:
appendix-1.rar
Size:
1.4 MB
Format:
Unknown data format
Description:
appendix-1.rar
Download
Thumbnail Image
Name:
review_91240.html
Size:
5.2 KB
Format:
Hypertext Markup Language
Description:
review_91240.html
Download
Collections
2016