Odvrstvování polovodičových čipů
Loading...
Date
Authors
Valachovič, Marek
ORCID
Advisor
Referee
Mark
B
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Tato práce popisuje jednotlivé vrstvy, ze kterých je polovodičový čip složen, typy pouzder, do kterých může být zapouzdřen a způsoby propojení čipu s pouzdrem. Dále jsou zde popsány metody dekapsulace zapouzdřeného čipu a jeho následné odvrstvování pomocí několika různých způsobů, jako je mechanicky, chemicky, plazmaticky či pomocí řízeného iontového svazku. Metody mechanického a chemického odvrstvování vrstev polovodičového čipu spolu s metodou odvrstvování řízeným iontovým svazkem za pomoci plynu jsou prakticky provedeny.
This work describes the individual layers of whitch the semiconductor chip is composed, the types of packages in witch it can be encapsulated and the methods of connecting the chip with the package. Furthermore, the methods of dacapsulating the encapsulated chip and delayering using several different methods, such as mechanical, chemical, plasmatic, or using an focused ion beam, are describe here. The methods of mechanical and chemical delayering of the layers of the semiconductor chip togeaher with dalayering by focused ion beam with the help of gas are practically performed and recorded.
This work describes the individual layers of whitch the semiconductor chip is composed, the types of packages in witch it can be encapsulated and the methods of connecting the chip with the package. Furthermore, the methods of dacapsulating the encapsulated chip and delayering using several different methods, such as mechanical, chemical, plasmatic, or using an focused ion beam, are describe here. The methods of mechanical and chemical delayering of the layers of the semiconductor chip togeaher with dalayering by focused ion beam with the help of gas are practically performed and recorded.
Description
Citation
VALACHOVIČ, M. Odvrstvování polovodičových čipů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2023.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
bez specializace
Comittee
prof. Ing. Radimír Vrba, CSc. (předseda)
doc. Ing. Lukáš Fujcik, Ph.D. (místopředseda)
prof. Ing. Jan Leuchter, Ph.D. (člen)
Ing. Břetislav Mikel, Ph.D. (člen)
doc. Ing. Josef Šandera, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2023-06-06
Defence
Student během obhajoby představil obsah svojí diplomové práce. Ta se zabívá Odvrstvováním polovodičových čipů. Hlavní motivací byla analýza poruch. Zhrnuty byli použité metody a postupy pro dosažení požadovaných výsledků. Dále byli prezentovány výsledky dosaženy pomocí mechanického, chemického a plynem asistovaného odvrstvování včetně analýzy. Metody byli závěrem porovnány. Následovalo zodpovězení dotazů oponenta. Komise dále položila následující dotazy: 1)Jaké specifika na proces mají čipy s velkou plochou? 2)Jaký je účel návrhu postupů? 3)Zvážili jste použití uCT?
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení