Vytváření trenčů o submikronové šířce pro moderní výkonové součástky
| but.committee | prof. RNDr. Petr Vanýsek, CSc. (předseda) doc. Ing. Jiří Vaněk, Ph.D. (místopředseda) Ing. Jiří Starý, Ph.D. (člen) Ing. Tomáš Maliňák (člen) Ing. Ladislav Chladil, Ph.D. (člen) | cs |
| but.defence | Student seznámil státní zkušební komisi s cíli a řešením závěrečné vysokoškolské práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta. 1) Byla sledována drsnost povrchu? 2) Bylo dosaženo limitu linky? 3) Kolik je trenčů na jedné Schottkyho diodě? | cs |
| but.jazyk | čeština (Czech) | |
| but.program | Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technika | cs |
| but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
| dc.contributor.advisor | Szendiuch, Ivan | cs |
| dc.contributor.author | Bolcek, Martin | cs |
| dc.contributor.referee | Jankovský, Jaroslav | cs |
| dc.date.accessioned | 2022-06-04T22:53:34Z | |
| dc.date.available | 2022-06-05 | cs |
| dc.date.available | 2022-06-04T22:53:34Z | |
| dc.date.created | 2019 | cs |
| dc.description.abstract | Tato diplomová práce je zaměřena na optimalizaci procesu fotolitografie při výrobě polovodičových výkonových součástek. V úvodu je popsán přechod kov-polovodič a s ním související příkopová Schottkyho dioda. Následně je uveden popis dílčích kroků procesu fotolitografie, který tvoří teoretický základ pro testování parametrů fotolitografie. Cílem diplomové práce je optimalizace nastavení procesu fotolitografie pro výrobu trenčů o šířce pod 0,5 µm a její ověření v rámci výrobního bloku struktury trenčů. Práce probíhala ve spolupráci s firmou ON Semiconductor Czech Republic, s.r.o. v Rožnově pod Radhoštěm. | cs |
| dc.description.abstract | This diploma thesis focuses on the optimization of photolithography process in the production of semiconductor devices. It contains theoretical basis of step by step photolithography process on a silicon substrate. It also describes metal-semiconductor contact and Trench Schottky Rectifier. The main goal of this thesis is design and optimization settings of photolithography process for the formation of trenches with a width of less than 0,5 µm. The new photolithography setup was verified across manufacturing process of trenches. The work was carried out in cooperation with ON Semiconductor Czech Republic, s.r.o. in Roznov pod Radhostem. | en |
| dc.description.mark | A | cs |
| dc.identifier.citation | BOLCEK, M. Vytváření trenčů o submikronové šířce pro moderní výkonové součástky [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2019. | cs |
| dc.identifier.other | 120219 | cs |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/204678 | |
| dc.language.iso | cs | cs |
| dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií | cs |
| dc.rights | Přístup k plnému textu prostřednictvím internetu byl licenční smlouvou omezen na dobu 3 roku/let | cs |
| dc.subject | Fotolitografie | cs |
| dc.subject | polovodičová výroba | cs |
| dc.subject | příkopová Schottkyho dioda | cs |
| dc.subject | Matice zaostření-expozice | cs |
| dc.subject | Bossungovy křivky | cs |
| dc.subject | Photolithography | en |
| dc.subject | Semiconductor processing | en |
| dc.subject | Trech MOS Barrier Schottky rectifier | en |
| dc.subject | Focus-exposure Matrix | en |
| dc.subject | Bossung curve | en |
| dc.title | Vytváření trenčů o submikronové šířce pro moderní výkonové součástky | cs |
| dc.title.alternative | The formation of trenches with a submicron width for advanced power semiconductor devices | en |
| dc.type | Text | cs |
| dc.type.driver | masterThesis | en |
| dc.type.evskp | diplomová práce | cs |
| dcterms.dateAccepted | 2019-06-05 | cs |
| dcterms.modified | 2019-06-06-13:05:44 | cs |
| eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií | cs |
| sync.item.dbid | 120219 | en |
| sync.item.dbtype | ZP | en |
| sync.item.insts | 2022.06.05 00:53:34 | en |
| sync.item.modts | 2022.06.05 00:13:35 | en |
| thesis.discipline | Elektrotechnická výroba a materiálové inženýrství | cs |
| thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav elektrotechnologie | cs |
| thesis.level | Inženýrský | cs |
| thesis.name | Ing. | cs |