Kvantitativní mapování dopantu v polovodiči pomocí kontrastu injektovanéhonáboje v rastrovacím mikroskopu s velmi pomalými elektrony
| but.committee | prof. Ing. Jiří Švejcar, CSc. (předseda) prof. Ing. Tomáš Podrábský, CSc. (místopředseda) prof. Ing. Rudolf Foret, CSc. (člen) doc. Ing. Eva Münsterová, CSc. (člen) prof. Ing. Ivo Dlouhý, CSc. (člen) prof. RNDr. Karel Maca, Dr. (člen) prof. Ing. Karel Hrbáček, DrSc. (člen) | cs |
| but.jazyk | čeština (Czech) | |
| but.program | Aplikované vědy v inženýrství | cs |
| but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
| dc.contributor.advisor | Pavloušková, Zina | cs |
| dc.contributor.author | Mikmeková, Šárka | cs |
| dc.contributor.referee | Müllerová, Ilona | cs |
| dc.date.created | 2009 | cs |
| dc.description.abstract | Tato diplomová práce se zabývá studiem mechanismu kontrastu injektovaného náboje v dopovaném polovodiči pomocí ultravysokovakuového nízkoenergiového rastrovacího elektronového mikroskopu. Cílem této práce bylo vysvětlit mechanismus kontrastu injektovaného náboje, jeho schopnost mapovat plošnou hustotu dopantu a identifikovat faktory, které ho ovlivňují. | cs |
| dc.description.abstract | This master's thesis deals with study of the injected charge contrast mechanism of doped semiconductors by using the ultra – high vacuum scanning low electron energy microscope (UHV SLEEM). The aims of this work were to explain the injected charge contrast mechanism, to ability of this contrast mechanism to map the dopant density quantitatively and to identify the influencing factors. | en |
| dc.description.mark | A | cs |
| dc.identifier.citation | MIKMEKOVÁ, Š. Kvantitativní mapování dopantu v polovodiči pomocí kontrastu injektovanéhonáboje v rastrovacím mikroskopu s velmi pomalými elektrony [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2009. | cs |
| dc.identifier.other | 21892 | cs |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/10935 | |
| dc.language.iso | cs | cs |
| dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství | cs |
| dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
| dc.subject | nízkoenergiová rastrovací elektronová mikroskopie | cs |
| dc.subject | polovodiče | cs |
| dc.subject | kontrast dopantu | cs |
| dc.subject | kontrast injektovaného náboje | cs |
| dc.subject | low energy scanning electron microscopy | en |
| dc.subject | semiconductors | en |
| dc.subject | dopant contrast | en |
| dc.subject | injected-charge contrast | en |
| dc.title | Kvantitativní mapování dopantu v polovodiči pomocí kontrastu injektovanéhonáboje v rastrovacím mikroskopu s velmi pomalými elektrony | cs |
| dc.title.alternative | Quantitative mapping of dopant in semiconductor using injected chargecontrast in very-slow-electron scanning electron microscope | en |
| dc.type | Text | cs |
| dc.type.driver | masterThesis | en |
| dc.type.evskp | diplomová práce | cs |
| dcterms.dateAccepted | 2009-06-16 | cs |
| dcterms.modified | 2009-07-15-11:45:26 | cs |
| eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta strojního inženýrství | cs |
| sync.item.dbid | 21892 | en |
| sync.item.dbtype | ZP | en |
| sync.item.insts | 2025.03.26 23:00:22 | en |
| sync.item.modts | 2025.01.15 13:42:55 | en |
| thesis.discipline | Materiálové inženýrství | cs |
| thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav materiálových věd a inženýrství | cs |
| thesis.level | Inženýrský | cs |
| thesis.name | Ing. | cs |