Scanning proximal microscopy study of the thin layers of silicon carbide aluminum nitride solid solution manufactured by fast sublimation epitaxy
Loading...
Date
2013-05-03
Authors
Sobola, Dinara
Korostylev, Evgenij
Bilalov, Bilal
Tománek, Pavel
ORCID
0000-0002-0008-5265Advisor
Referee
Mark
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
EDP Sciences
Altmetrics
Abstract
The objective of the study is a growth of SiC/(SiC)1-x(AlN)x structures by fast sublimation epitaxy of the polycrystalline source of (SiC)1-x(AlN)x and their characterisation by proximal scanning electron microscopy and atomic force microscopy. For that purpose optimal conditions of sublimation process have been defined. Manufactured structures could be used as substrates for wide-band-gap semiconductor devices on the basis of nitrides, including gallium nitride, aluminum nitride and their alloys, as well as for the production of transistors with high mobility of electrons and also for creation of blue and ultraviolet light emitters (light-emitted diodes and laser diodes). The result of analysis shows that increasing of the growth temperature up to 2300 K llows carry out sublimation epitaxy of thin layers of aluminum nitride and its solid solution.
Cílem studie je růst struktur SiC/(SiC)1-x(AlN)x pomocí rychlé sublimační epitaxe polykrystalického zdroje (SiC)1-x(AlN)x a jejich charakterizace pomocí SEM a AFM. K dosažrení tohoto cíle bylo třeba stanovit optimální podmínky. Vyrobené struktury by mohly být použity jako polovodiče s širokým zakázaným pásem. Výsledky analýzy ukazují, že v důeeldku zvyšování teploty až do 2300 K The result of analysis shows that increasing of the growth temperature up to 2300 K umožní provést sublimační epitaxi tenkých vrstev AlN a jeho tuhého roztoku.
Cílem studie je růst struktur SiC/(SiC)1-x(AlN)x pomocí rychlé sublimační epitaxe polykrystalického zdroje (SiC)1-x(AlN)x a jejich charakterizace pomocí SEM a AFM. K dosažrení tohoto cíle bylo třeba stanovit optimální podmínky. Vyrobené struktury by mohly být použity jako polovodiče s širokým zakázaným pásem. Výsledky analýzy ukazují, že v důeeldku zvyšování teploty až do 2300 K The result of analysis shows that increasing of the growth temperature up to 2300 K umožní provést sublimační epitaxi tenkých vrstev AlN a jeho tuhého roztoku.
Description
Citation
EPJ Web of Conferences. 2013, vol. 48, issue 1, p. 1-4.
https://www.epj-conferences.org/articles/epjconf/abs/2013/09/epjconf_OAM2012_00002/epjconf_OAM2012_00002.html
https://www.epj-conferences.org/articles/epjconf/abs/2013/09/epjconf_OAM2012_00002/epjconf_OAM2012_00002.html
Document type
Peer-reviewed
Document version
Published version
Date of access to the full text
Language of document
en