GaN modifikované Schottkyho solární články s rozhraním Grafen/Si

Loading...
Thumbnail Image

Date

Authors

Mohelský, Ivan

Mark

A

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství

ORCID

Abstract

Tato práce se zabývá přípravou a charakterizací Schottkyho solárních článků s přechodem grafen/křemík. Pro tuto studii byla navržena a vyrobena aparatura pro měření I-V charakteristik solárního článku. Rozhraní grafen/křemík bylo dále modifikováno nanokrystaly galium nitridu a byl studován vliv těchto krystalů na vlastnosti solárního článku.
This bachelor thesis deals with fabrication and characterization of Schottky solar cells with graphene/silicon junction. For this study, the I-V characteristic measuring device was designed and assembled. Also, the graphene/silicon junction was modified by GaN nanocrystals and properties of such a solar cell was studied.

Description

Citation

MOHELSKÝ, I. GaN modifikované Schottkyho solární články s rozhraním Grafen/Si [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2018.

Document type

Document version

Date of access to the full text

Language of document

cs

Study field

Fyzikální inženýrství a nanotechnologie

Comittee

prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) doc. Ing. Stanislav Průša, Ph.D. (člen)

Date of acceptance

2018-06-21

Defence

Byly zodpovězeny otázky oponenta.

Result of defence

práce byla úspěšně obhájena

DOI

Collections

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By

Citace PRO