Bulk-driven proudová zrcadla
but.committee | prof. Ing. Jaromír Kadlec, CSc. (předseda) Ing. Ondřej Sajdl, Ph.D. (místopředseda) Ing. Miroslav Zatloukal (člen) Ing. Zdenka Rozsívalová (člen) doc. Ing. Jiří Háze, Ph.D. (člen) | cs |
but.defence | Student Martin Kováčik seznámil komisi se svoji bakalařskou prací na téma: Bulk-driven proudová zrcadla. Dále odpověděl na otázky oponenta - 1.) Na str. 13 se píše: "....gates z M1 a M2 idú na najkladnejšie fixné napätie, ktoré je dispozícii, Vdd." Lze je připojit i na jiné fixní napětí? Zdůvodněte. 2.) Jaké je základní omezení při řízení tranzistoru pomocí BULK elektrody? Vysvětlete pojem "latch-up". 3.) Jednou ze základních vlastností proudového zrcadla/proudového zdroje je výstupní odpor. Jak lze při mikroelektronickém návrhu zvýšit výstupní odpor jednoduchého proudového zrcadla? 4.) Na obr.2 je údajně uvedena struktura tranzistoru JFET. Prosím srovnejte struktury a funkci JFET a MOSFET. 5.) Najděte chybu ve schématu na obrázku 25. | cs |
but.jazyk | slovenština (Slovak) | |
but.program | Elektrotechnika, elektronika, komunikační a řídicí technika | cs |
but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
dc.contributor.advisor | Khateb, Fabian | sk |
dc.contributor.author | Kováčik, Martin | sk |
dc.contributor.referee | Prokop, Roman | sk |
dc.date.created | 2009 | cs |
dc.description.abstract | Bakalárska práca sa zaoberá problematikou princípu bulk-driven CMOS pre návrh niekolkých analogových obvodou. Princíp využíva substrátového hradla ako signálového vstupu k dosiahnutiu nízkého napájacieho napätia a nízkého príkonu pri zachovaní parametrou odpovedajúcich stavajúcim štruktúram. Cielom práce bolo za využitia tohoto princípu navrhnut prúdové zrkadlo s nízkym napájacím napätím a nízkim príkonom. V práci najdeme základné informácie o technológii bulk-driven a tranzistoroch MOSFET použitých v tejto technológii. Dalej sa oboznámime s rôznimi druhmy zapojení bulk-driven prudovích zrkadiel, ktoré sú porovnávané z konvencným gate-driven prúdovím zrkadlom. Tieto obvody sú modelované v programe Orcad Pspise. | sk |
dc.description.abstract | My bachelor’s thesis is about bulk-driven CMOS principle for several analog circuit projects. A substrate gate is used for signal input to achieve low supply voltage and low wattage while keeping parameters adequate to current structures. The goal of my work was to design current mirror with low supply voltage and low wattage with usage of this principle. In my work there are basic data about bulk-driven technology and MOFSET transistors used in this technology. My project contains different kinds of schemes of bulk-driven current mirrors which are compared with conventional gate-driven current mirror. These circuits are simulated in Orcard Pspise program. | en |
dc.description.mark | D | cs |
dc.identifier.citation | KOVÁČIK, M. Bulk-driven proudová zrcadla [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2009. | cs |
dc.identifier.other | 11946 | cs |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/842 | |
dc.language.iso | sk | cs |
dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií | cs |
dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
dc.subject | Bulk-driven | sk |
dc.subject | gate-driven | sk |
dc.subject | MOSFET | sk |
dc.subject | prúdové zrkadlo | sk |
dc.subject | Bulk-driven | en |
dc.subject | gate-driven | en |
dc.subject | MOSFET | en |
dc.subject | prúdové zrkadlo | en |
dc.title | Bulk-driven proudová zrcadla | sk |
dc.title.alternative | Bulk-driven current mirrors | en |
dc.type | Text | cs |
dc.type.driver | bachelorThesis | en |
dc.type.evskp | bakalářská práce | cs |
dcterms.dateAccepted | 2009-06-11 | cs |
dcterms.modified | 2009-08-25-09:27:07 | cs |
eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií | cs |
sync.item.dbid | 11946 | en |
sync.item.dbtype | ZP | en |
sync.item.insts | 2025.03.16 13:12:57 | en |
sync.item.modts | 2025.01.15 23:52:53 | en |
thesis.discipline | Mikroelektronika a technologie | cs |
thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav mikroelektroniky | cs |
thesis.level | Bakalářský | cs |
thesis.name | Bc. | cs |