Měření fotoluminiscenčních vlastností ultratenkých vrstev

Abstract

Tato bakalářská práce stručně vykládá principy a druhy luminiscence. V následující první rešeršní studii se pojednává také o zařízeních použitelných při fotoluminiscenčních experimentech, včetně jejich uspořádání. V druhé rešerši je studován vliv vlastností galium nitridových (GaN) (ultra) tenkých vrstev a jiných struktur připravených různými způsoby na tvar jejich fotoluminiscenčních spekter. V této práci je dále popsána optimalizace fotoluminiscenční aparatury umístěné na Ústavu fyzikálního inženýrství na VUT pro měření fotoluminiscenčních spekter v UV oblasti světelného záření. Úprava se týká také rozšíření měření i za nízkých teplot (návrh a konstrukce vlastního kryostatu). Závěrem je provedení testovacích měření k zjištění vlivu různých nastavení aparatury na výsledné měřené fotoluminiscenční spektrum.The thesis briefly describes the principles and types of luminescence. In the first following research of study is also discussed the equipment which is applicable to photoluminescence experiments, including the arrangement. The second research focuses on the influence of the properties of gallium nitride (GaN) (ultra) thin films and other structures prepared by various ways on shape of photoluminescence spectra. The paperwork also describes the further optimization of photoluminescent apparatus used for the measurement of photoluminescence spectrum in the UV light radiation which is located at the Institute of Physical Engineering at the Technical University. The extension of measurements at low temperatures (design and construction of its own cryostat) is added. The conclusion concernes the test measurements to determine the effect of various settings of the apparatus on the resulting measured photoluminescence spectrum.