Vývoj atomárních a iontových svazkových zdrojů
| but.committee | prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) doc. RNDr. Josef Kuběna, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) | cs |
| but.defence | cs | |
| but.jazyk | čeština (Czech) | |
| but.program | Aplikované vědy v inženýrství | cs |
| but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
| dc.contributor.advisor | Mach, Jindřich | cs |
| dc.contributor.author | Tihlařík, Jan | cs |
| dc.contributor.referee | Voborný, Stanislav | cs |
| dc.date.accessioned | 2019-05-17T12:15:14Z | |
| dc.date.available | 2019-05-17T12:15:14Z | |
| dc.date.created | 2010 | cs |
| dc.description.abstract | Práce se zabývá problematikou tvorby iontových svazků. Je zde popsán vliv iontové optiky na formování svazku a růst ultratenkých vrstev GaN, jakož i optimalizace zdroje k depozici a měření vlastností iontového svazku. V rámci práce byly provedeny depozice GaN ultratenkých vrstev na substrát Si(111)dH za pokojové teploty pro různá nastavení elektrických potenciálů na elektrodách iontově-atomárního zdroje. | cs |
| dc.description.abstract | This text is oriented for problems of creating ion beams. Thesis also describe the impact of ion optics to ion beam profile and preparing GaN layers. Also ion-atom source optimization and analysis of beam properties are there described. Also it was made deposition of GaN ultrathin layers on Si(111)dH at room temperature for different settings of atom-ion source electric electrodes. | en |
| dc.description.mark | B | cs |
| dc.identifier.citation | TIHLAŘÍK, J. Vývoj atomárních a iontových svazkových zdrojů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2010. | cs |
| dc.identifier.other | 30122 | cs |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/1738 | |
| dc.language.iso | cs | cs |
| dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství | cs |
| dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
| dc.subject | iontově-atomární svazkový zdroj | cs |
| dc.subject | optimalizace | cs |
| dc.subject | proudový profil svazku | cs |
| dc.subject | příprava GaN vrstev | cs |
| dc.subject | atom-ion beam source | en |
| dc.subject | optimization | en |
| dc.subject | ion beam profile | en |
| dc.subject | preparing GaN layers | en |
| dc.title | Vývoj atomárních a iontových svazkových zdrojů | cs |
| dc.title.alternative | Development of the Atom and Ion Beam Sources | en |
| dc.type | Text | cs |
| dc.type.driver | bachelorThesis | en |
| dc.type.evskp | bakalářská práce | cs |
| dcterms.dateAccepted | 2010-06-17 | cs |
| dcterms.modified | 2010-07-13-11:45:04 | cs |
| eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta strojního inženýrství | cs |
| sync.item.dbid | 30122 | en |
| sync.item.dbtype | ZP | en |
| sync.item.insts | 2021.11.12 23:03:14 | en |
| sync.item.modts | 2021.11.12 22:16:28 | en |
| thesis.discipline | Fyzikální inženýrství a nanotechnologie | cs |
| thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrství | cs |
| thesis.level | Bakalářský | cs |
| thesis.name | Bc. | cs |