Optimalizace zařízení pro přípravu GaN nanostruktur

Abstract

Tato bakalářská práce se zabývá automatizací zdrojů pro depozici GaN nanokrystalů užívaných na Ústavu fyzikálního inženýrství. V rámci práce byl navržen a zkonstruován mechanizmus umožňující automatické ovládání clony galliové efuzní cely a řídící elektronika obsahující komponenty umožňující automatické spínání iontově atomárního zdroje dusíkových iontů. Dále byly metodou molekulární svazkové epitaxe s asistencí iontového svazku IBA-MBE připraveny vzorky GaN nanokrystalů na čtyřech různých substrátech, které byly studovány z hlediska studené emise elektronů. V závěru práce jsou diskutovány výsledky měření.This bachelor thesis deals with the automation of sources for the deposition of GaN nanocrystals used at the Institute of Physical Engineering. For the purpose of the thesis, the mechanism of automatic control of the gallium effusion cell shutter was designed and constructed and the control electronics containing components enabling automatic switching of the ion atomic source of nitrogen ions. In addition, samples of GaN nanocrystals on four different substrates that were studied for cold electron emission were prepared by the method of ion beam assisted molecular beam epitaxy IBA-MBE. The results of the measurement are discussed in the conclusion.