Návrh operačního zesilovače CMOS

Loading...
Thumbnail Image
Date
ORCID
Mark
E
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Tato práce se zabývá problematikou návrhu a simulace analogových integrovaných obvodů v technologii CMOS. Hlavním zaměřením práce je navrhnoutí transkonduktančního zesilovače pracujícího s nízkým vstupním rozdílovým napětím. Ukázka dvoustupňového transkonduktačního zesilovače s kompenzačním RC prvkem. Vytvoření topografie zesilovače pomocí technologie AMIS 07.
This work deals with issues of design and simulation of analog CMOS integrated circuit. The general aim is to design transconductance amplifier working with low input offset voltage. The two stage operational – transconductance amplifier with compensation RC element is presented. Creation topography amplifier by the help of technology AMIS 07.
Description
Citation
NEVRKLA, M. Návrh operačního zesilovače CMOS [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2008.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Mikroelektronika a technologie
Comittee
prof. Ing. Jaromír Brzobohatý, CSc. (předseda) Ing. Ilona Müllerová, DrSc. (místopředseda) doc. Ing. Jiří Háze, Ph.D. (člen) doc. Ing. Josef Šandera, Ph.D. (člen) Ing. Martin Frk, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2008-06-12
Defence
Student seznámil komisi se svou bakalářskou prací, dále vysvětloval jednotlivé části schématu, které použil ve své bakalářské práci a zdůvodňoval dosažené parametry.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení
DOI
Collections
Citace PRO