but.committee	prof. RNDr. Pavel Tománek, CSc. (předseda) prof. RNDr. Vladimír Aubrecht, CSc. (člen) prof. Dr. RNDr. Jiří Luňáček (člen) prof. Ing. RNDr. Josef Šikula, DrSc. (člen) prof. RNDr. Vladislav Navrátil, CSc. - oponent (člen) prof. Ing. Josef Lazar, Ph.D. - oponent (člen)	cs
but.defence	Předložená disertační práce je zaměřena na detailní rozbor příčin poruchovosti detektorů CdTe/CdZnTe. Uvedený polovodičový materiál je v současné době pokládán za jeden z nejvhodnějších pro detekci a zobrazování vysoce energetického záření. Z toho důvodu disertant provedl velmi komplexní studium vzorků fotodetektorů na bázi polovodičové struktury CdTe. V úvodní stati popisuje základní charakteristiky těchto materiálů, stručně je zmíněna technologie výroby a následně jejich parametry, které jsou zásadní pro parametry fotodetektorů. Měření analýza a interpretace naměřených dat je pak jádrem předkládané práce. Přístup, který autor zvolil, je vskutku komplexní a svědčí o porozumění fyzice polovodičů a také o záviděníhodném instrumentálním vybavení, které měl k dispozici. Oponenti vysoce hodnotí kvalitu práce po odborné stránce, měli drobné výhrady proti jazykové stránce disertace. V rozpravě zodpověděl řadu dotazů týkajících se experimentů i svého podílu na nich a odpověděl na podněty ke zlepšení kvality jazykového projevu. Komise konstatovala, že obhajoba disertační práce proběhla velmi úspěšně, dosažené výsledky jsou vysoce originální a jsou přínosem pro další rozvoj oboru nedestruktivní diagnostiky nové třídy detektorů pro hluboké UV.	cs
but.jazyk	angličtina (English)
but.program	Elektrotechnika a komunikační technologie	cs
but.result	práce byla úspěšně obhájena	cs
dc.contributor.advisor	Grmela, Lubomír	en
dc.contributor.author	Šik, Ondřej	en
dc.contributor.referee	Lazar, Josef	en
dc.contributor.referee	Navrátil, Vladislav	en
dc.date.created	2016	cs
dc.description.abstract	Poptávka ze strany vesmírného výzkumu, zdravotnictví a bezpečnostního průmyslu způsobila v posledních letech zvýšený zájem o vývoj materiálů pro detekci a zobrazování vysokoenergetického záření. CdTe a jeho slitina CdZnTe. jsou polovodiče umožnují detekci záření o energiích v rozsahu 10 keV až 500 keV. Šířka zakázaného pásma u CdTe / CdZnTe je 1.46 -1.6 eV, což umožňuje produkci krystalů o vysoké rezistivitě (10^10-10^11 cm), která je dostačující pro použití CdTe / CdZnTe při pokojové teplotě. V mé práci byly zkoumány detektory CdTe/CdZnTe v různých stádiích jejich poruchovosti. Byly použity velmi kvalitní spektroskopické detektory, materiál s nižší rezistivitou a výraznou polarizací, detektory s asymetrií elektrických parametrů kontaktů a teplotně degenerované vzorky. Z výsledků analýzy nízkofrekvenčního šumu je patrný obecný závěr, že zvýšená koncentrace defektů způsobí změnu povahy původně monotónního spektra typu 1/f na spektrum s výrazným vlivem generačně-rekombinačních procesů. Další výrazná vlastnost degenerovaných detektorů a detektorů nižší kvality je nárůst spektrální hustoty šumu typu 1/f se vzrůstajícím napájecím napětí se směrnicí výrazně vyšší než 2. Strukturální a chemické analýzy poukázaly, že teplotní generace detektorů způsobuje difuzi kovu použitého při kontaktování a stopových prvků hlouběji do objemu krystalu. Část mé práce je věnována modifikaci povrchu svazkem argonových iontů a jejímu vlivu na chemické složení a morfologii povrchu.	en
dc.description.abstract	Because of demands from space research, healthcare and nuclear safety industry, gamma and X-ray imaging and detection is rapidly growing topic of research. CdTe and its alloy CdZnTe are materials that are suitable to detect high energy photons in range from 10 keV to 500 keV. Their 1.46 -1.6 eV band gap gives the possibility of high resistivity (10^10-10^11 cm) crystals production that is high enough for room temperature X-ray detection and imaging. CdTe/CdZnTe detectors under various states of their defectiveness. Investigation of detector grade crystals, crystals with lower resistivity and enhanced polarization, detectors with asymmetry of electrical characteristics and thermally degenerated crystals were subject of my work in terms of analysis of their current stability, additional noise, electric field distribution and structural properties. The results of the noise analysis showed that enhanced concentration of defects resulted into change from monotonous spectrum of 1/f noise to spectrum that showed significant effects of generation-recombination mechanisms. Next important feature of deteriorated quality of investigated samples was higher increase of the noise power spectral density than 2 with increasing applied voltage. Structural and chemical analyses showed diffusion of metal material and trace elements deeper to the crystal bulk. Part of this work is also focused on surface modification by argon ion beam and its effect on chemical and morphological properties of the surface.	cs
dc.description.mark	P	cs
dc.identifier.citation	ŠIK, O. Transportní, šumové a strukturální vlastnosti detektorů vysokoenergetického záření na bázi CdTe [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2016.	cs
dc.identifier.other	97913	cs
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11012/63283
dc.language.iso	en	cs
dc.publisher	Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií	cs
dc.rights	Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení	cs
dc.subject	slova CdTe	en
dc.subject	CdZnTe	en
dc.subject	teplotní degradace	en
dc.subject	šum	en
dc.subject	přechod polovodič-kov	en
dc.subject	hloubkový profil prvkového složení	en
dc.subject	modifikace povrchu	en
dc.subject	heterostruktura	en
dc.subject	polarizace	en
dc.subject	rozložení elektrického pole	en
dc.subject	SIMS	en
dc.subject	XPS	en
dc.subject	Auger	en
dc.subject	XRD	en
dc.subject	bombardování ionty	en
dc.subject	CdTe	cs
dc.subject	CdZnTe	cs
dc.subject	thermal degradation	cs
dc.subject	noise	cs
dc.subject	metal-semiconductor junction	cs
dc.subject	elemental concentration depth profile	cs
dc.subject	surface modification	cs
dc.subject	heterostructure	cs
dc.subject	polarization	cs
dc.subject	electric field distribution	cs
dc.subject	SIMS	cs
dc.subject	XPS	cs
dc.subject	Auger	cs
dc.subject	XRD	cs
dc.subject	ion bombardment.	cs
dc.title	Transportní, šumové a strukturální vlastnosti detektorů vysokoenergetického záření na bázi CdTe	en
dc.title.alternative	Noise, Transport and Structural Properties of High Energy Radiation Detectors Based on CdTe	cs
dc.type	Text	cs
dc.type.driver	doctoralThesis	en
dc.type.evskp	dizertační práce	cs
dcterms.dateAccepted	2016-12-01	cs
dcterms.modified	2016-12-01-12:54:06	cs
eprints.affiliatedInstitution.faculty	Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií	cs
sync.item.dbid	97913	en
sync.item.dbtype	ZP	en
sync.item.insts	2025.03.27 11:57:06	en
sync.item.modts	2025.01.17 09:36:27	en
thesis.discipline	Fyzikální elektronika a nanotechnologie	cs
thesis.grantor	Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. Ústav fyziky	cs
thesis.level	Doktorský	cs
thesis.name	Ph.D.	cs

Transportní, šumové a strukturální vlastnosti detektorů vysokoenergetického záření na bázi CdTe

Files

Original bundle

Collections