Souběžné měření povrchového potenciálu a transportní odezvy grafenových Hallových struktur
Loading...
Date
Authors
Štrba, Lukáš
Advisor
Referee
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
ORCID
Abstract
Grafén je polokov s nulovým pásom zakázaných energií. Pomocou hradlového napätia je možné meniť polohu jeho Fermiho hladiny a tým meniť koncentráciu voľných nosičov náboja. V tejto práci sme súbežne merali povrchový potenciál pomocou Kelvinovej sondovej silovej mikroskopie (KPFM) a transportnú odozvu grafénovej Hallovej štruktúry pri rôznych relatívnych vlhkostiach a pri priloženom hradlovom napätí. Taktiež sa pozorovala transportná odozva grafénovej Hallovej štruktúry po modifikácií metódou lokálnej anodickej oxidácie (LAO).
Graphene is a semimetal with zero band gap. Position of Fermi level can be changed by applied gate voltage, which results in a change of free carier concentration. This work focuses on a simultaneous measurement of surface potential by Kelvin probe force microscopy (KPFM) and transport response of graphene Hall bars in different relative humidities and with applying gate voltage. The transport response was also observed in case of graphene Hall bar structure modified by local anodic oxidation (LAO).
Graphene is a semimetal with zero band gap. Position of Fermi level can be changed by applied gate voltage, which results in a change of free carier concentration. This work focuses on a simultaneous measurement of surface potential by Kelvin probe force microscopy (KPFM) and transport response of graphene Hall bars in different relative humidities and with applying gate voltage. The transport response was also observed in case of graphene Hall bar structure modified by local anodic oxidation (LAO).
Description
Keywords
grafén , KPFM , relatívna vlhkosť , hradlové napätie , LAO , transportné meranie , graphene , KPFM , relative humidity , gate voltage , LAO , transport measurements
Citation
ŠTRBA, L. Souběžné měření povrchového potenciálu a transportní odezvy grafenových Hallových struktur [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2020.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Fyzikální inženýrství a nanotechnologie
Comittee
prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda)
prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda)
prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen)
prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen)
prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen)
prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen)
doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen)
RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)
Date of acceptance
2020-07-14
Defence
Po otázkách oponenta bylo dále diskutováno:
Vliv rozhraní mezi SiO2 a grafenem na provedené experimenty.
Student na otázku odpověděl.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena