Depozice Ga a GaN nanostruktur na vodíkem modifikovaný grafenový substrát
| but.committee | prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) prof. RNDr. Eduard Schmidt, CSc. (člen) | cs |
| but.jazyk | čeština (Czech) | |
| but.program | Aplikované vědy v inženýrství | cs |
| but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
| dc.contributor.advisor | Mach, Jindřich | cs |
| dc.contributor.author | Bárdy, Stanislav | cs |
| dc.contributor.referee | Váňa, Rostislav | cs |
| dc.date.created | 2016 | cs |
| dc.description.abstract | V tejto práci sme sa venovali štúdiu gália na graféne. Depozície Ga boli vykonané použitím Molekulárnej zväzkovej epitaxie. Pozorovali sme Ramanovo zosilnenie a posun píkov spôsobený individuálnymi Ga ostrovčekmi. Simulácia potvrdila náš predpoklad, že zosilnenie je plazmonickej povahy, ktorá je zároveň hlavným mechanizmom Povrchovo-zosilnenej Ramanovej spektroskopie. Ďalším výsledkom je hydrogenácia grafénu pred Ga depozíciou má vplyv na štruktúru vzorky po depozícii a znižuje difúznu dĺžku atómov Ga. | cs |
| dc.description.abstract | In this work we studied gallium on graphene. Depositions were done by Molecular beam epitaxy. We observed Raman enhancement and peak shifts by individual Ga islands. Simulation confirmed our assumption, that the enhancement is based on plasmonics effect that is also the main contribution of Surface-enhanced Raman spectroscopy. Another result is hydrogenation of graphene before deposition does have an effect on Ga structure and reduces diffusion length of Ga atoms. | en |
| dc.description.mark | A | cs |
| dc.identifier.citation | BÁRDY, S. Depozice Ga a GaN nanostruktur na vodíkem modifikovaný grafenový substrát [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2016. | cs |
| dc.identifier.other | 92723 | cs |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/60772 | |
| dc.language.iso | cs | cs |
| dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství | cs |
| dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
| dc.subject | Ramanovo zosilnenie | cs |
| dc.subject | SERS | cs |
| dc.subject | gálium | cs |
| dc.subject | grafén | cs |
| dc.subject | molekulová zväzková epitaxia | cs |
| dc.subject | Raman enhancement | en |
| dc.subject | SERS | en |
| dc.subject | gallium | en |
| dc.subject | graphene | en |
| dc.subject | molecular beam epitaxy | en |
| dc.title | Depozice Ga a GaN nanostruktur na vodíkem modifikovaný grafenový substrát | cs |
| dc.title.alternative | Deposition of Ga and GaN nanostructures on graphene substrate treated by atomic hydrogen | en |
| dc.type | Text | cs |
| dc.type.driver | masterThesis | en |
| dc.type.evskp | diplomová práce | cs |
| dcterms.dateAccepted | 2016-06-20 | cs |
| dcterms.modified | 2016-06-23-09:47:28 | cs |
| eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta strojního inženýrství | cs |
| sync.item.dbid | 92723 | en |
| sync.item.dbtype | ZP | en |
| sync.item.insts | 2025.03.27 08:02:02 | en |
| sync.item.modts | 2025.01.15 15:32:09 | en |
| thesis.discipline | Fyzikální inženýrství a nanotechnologie | cs |
| thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrství | cs |
| thesis.level | Inženýrský | cs |
| thesis.name | Ing. | cs |