Growth of Doped Semiconductor Nanowires

Growth of Doped Semiconductor Nanowires

Simple item page

but.committee	prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (předseda) Dr.techn. Ing. Hermann Detz (člen) doc. Ing. Roman Gröger, Ph.D. et Ph.D. (člen) prof. Ing. Jan Čechal, Ph.D. (člen) doc. Mgr. Adam Dubroka, Ph.D. (člen)	cs
but.defence	Aspirant při obhajobě prokázal hluboké znalosti studovaného problému růstu nanodrátů z různých materiálů, jakož i inženýrské schopnosti při návrhu růstového reaktoru, jeho otestování a zlepšení fuknce.	cs
but.jazyk	angličtina (English)
but.program	Fyzikální a materiálové inženýrství	cs
but.result	práce byla úspěšně obhájena	cs
dc.contributor.advisor	Kolíbal, Miroslav	en
dc.contributor.author	Musálek, Tomáš	en
dc.contributor.referee	Detz, Hermann	en
dc.contributor.referee	Gröger, Roman	en
dc.date.created	2024	cs
dc.description.abstract	Tato disertační práce se zabývá multikomponentními polovodičovými nanodráty, se zaměřením na indium arsenid (InAs) a bromid cesno-olovnatý (CsPbBr3). Pro výrobu nanodrátů InAs byl použit mechanismus Vapour-Liquid-Solid (VLS) i selektivní epitaxe, doplněné o zkoumání účinků dopování křemíkem během růstu. Ač bylo plánováno podobné studium nanodrátů CsPbBr3, důraz byl kladen na fundamentální rozdíly a důsledky použití dvou odlišných depozičních metod: depozice z jednoho prekurzoru a ko-depozice. Depozice z jednoho prekurzoru, ačkoli přímočará, využívá odpařování CsPbBr3. Tato složitá molekula se ale v důsledku teploty rozkládá v kalíšku, což vede ke změnám složení prekurzoru. Naproti tomu ko-depozice, při které se současně odpařují dvě prekurzorové látky, PbBr2 a CsBr, nabízí stabilnější a opakovatelnějši přístup. Obě metody byly využity k získání fázově čistého CsPbBr3 za použití zvýšených teplot vzorku. Disertační práce také představuje inovativní návrh a vývoj nového reaktoru pro in-situ růstové studie. Tento reaktor lze integrovat do rastrovacího elektronového mikroskopu, což umožňuje pozorování růstových procesů v reálném čase a poskytuje tak cenné poznatky nejen o formování nanodrátků ale umožňuje získat informace o dalších souvisejících jevech.	en
dc.description.abstract	This doctoral thesis explores the field of multicomponent semiconductor nanowires, with a particular focus on indium arsenide (InAs) and cesium lead bromide (CsPbBr3). For InAs nanowires, two growth techniques—selective area epitaxy and vapor-liquid-solid (VLS)—were utilized, complemented by an examination of silicon doping effects. The investigation into CsPbBr3 nanowires delves into the fundamental impacts of two distinct deposition methods: single-source and co-evaporation. Single-source deposition, while straightforward, involves the direct evaporation of CsPbBr3, leading to compositional changes due to precursor decomposition in the crucible. In contrast, co-evaporation, which simultaneously evaporates two precursor sources, PbBr2 and CsBr, offers a more stable approach. Both methods were employed to obtain phase-pure CsPbBr3 utilizing elevated sample temperature. The thesis also presents the innovative design and development of a novel reactor for in-situ growth studies. This reactor can be integrated into a scanning electron microscope, enabling real-time observation of the growth processes, thereby providing valuable insights into nanowire formation and other related phenomena.	cs
dc.description.mark	P	cs
dc.identifier.citation	MUSÁLEK, T. Growth of Doped Semiconductor Nanowires [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2024.	cs
dc.identifier.other	163155	cs
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11012/249827
dc.language.iso	en	cs
dc.publisher	Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství	cs
dc.rights	Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení	cs
dc.subject	polovodiče	en
dc.subject	nanodráty	en
dc.subject	dopování	en
dc.subject	InAs	en
dc.subject	perovskity	en
dc.subject	CsPbBr3	en
dc.subject	MBE	en
dc.subject	CVD	en
dc.subject	semiconductors	cs
dc.subject	nanowires	cs
dc.subject	doping	cs
dc.subject	InAs	cs
dc.subject	perovskites	cs
dc.subject	CsPbBr3	cs
dc.subject	MBE	cs
dc.subject	CVD	cs
dc.title	Growth of Doped Semiconductor Nanowires	en
dc.title.alternative	Growth of Doped Semiconductor Nanowires	cs
dc.type	Text	cs
dc.type.driver	doctoralThesis	en
dc.type.evskp	dizertační práce	cs
dcterms.dateAccepted	2024-11-21	cs
dcterms.modified	2024-12-02-14:07:17	cs
eprints.affiliatedInstitution.faculty	Fakulta strojního inženýrství	cs
sync.item.dbid	163155	en
sync.item.dbtype	ZP	en
sync.item.insts	2025.03.27 15:38:24	en
sync.item.modts	2025.02.26 05:31:44	en
thesis.discipline	Fyzikální a materiálové inženýrství	cs
thesis.grantor	Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrství	cs
thesis.level	Doktorský	cs
thesis.name	Ph.D.	cs

Files

Original bundle

Now showing 1 - 5 of 6

Name:: final-thesis.pdf
Size:: 14.46 MB
Format:: Adobe Portable Document Format
Description:: file final-thesis.pdf

Name:: thesis-1.pdf
Size:: 5.8 MB
Format:: Adobe Portable Document Format
Description:: file thesis-1.pdf

Name:: Posudek-Vedouci prace-2024 posudek vedouciho Tomas MusalekBP.pdf
Size:: 46.33 KB
Format:: Adobe Portable Document Format
Description:: file Posudek-Vedouci prace-2024 posudek vedouciho Tomas MusalekBP.pdf

Name:: Posudek-Oponent prace-musalek_phd_thesis_report bp.pdf
Size:: 122.25 KB
Format:: Adobe Portable Document Format
Description:: file Posudek-Oponent prace-musalek_phd_thesis_report bp.pdf

Name:: Posudek-Oponent prace-posudek_Groger BP.pdf
Size:: 105.81 KB
Format:: Adobe Portable Document Format
Description:: file Posudek-Oponent prace-posudek_Groger BP.pdf

Collections