Interakce pomalých elektronů s grafenovými polem řízenými tranzistory
| but.committee | prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen) prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen) prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen) prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen) prof. RNDr. Eduard Schmidt, CSc. (člen) prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen) RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen) doc. Ing. Radek Kalousek, Ph.D. (člen) | cs |
| but.defence | Po otázkách oponenta bylo dále diskutováno: Jakým způsobem by probíhala difuze vody na povrchu grafenu? Můžete vysvětlit význam symbolů v rozvnici 2.8? Jaký význam má veličina relativní odpor použitá v některých grafech? | cs |
| but.jazyk | čeština (Czech) | |
| but.program | Aplikované vědy v inženýrství | cs |
| but.result | práce byla úspěšně obhájena | cs |
| dc.contributor.advisor | Čechal, Jan | cs |
| dc.contributor.author | Vysocký, Filip | cs |
| dc.contributor.referee | Kunc, Jan | cs |
| dc.date.created | 2019 | cs |
| dc.description.abstract | Tato diplomová práce se zaměřuje na přípravu grafenových polem řízených tranzistorů, charakterizaci jejich transportních vlastností v UHV podmínkách a popis vlivu svazku nízkoenergiových elektronů na transportní vlastnosti těchto přístrojů. Teoretická část práce pojednává o metodách výroby grafenu, jejich přenosu na cílový substrát k přípravě grafenových polem řízených tranzistorů, dále jsou zde popsány modely dotování grafenu založené na elektrostatické interakci a osvitu svazkem fotonů nebo elektronů. Experimentální část práce je založena na přípravě grafenových polem řízených tranzistorů k popisu změn transportních vlastností těchto systémů vlivem dotování grafenových vrstev nízkoenergiovým svazkem elektronů v závislosti na energii a proudu svazku. | cs |
| dc.description.abstract | This diploma thesis is focused on fabrication of graphene field-effect transistors, characterisation of their transport properties and investigation of low-energy electron beam influence on the devices' properties under UHV conditions. The theoretical part of this work describes graphene fabrication methods, options of graphene transfer onto the substrates for graphene field-effect transistor manufacture. Furthermore, model of graphene doping via electrostatic interaction or photon, resp. electron beam exposition is explained. The experimental part of this work consist of manufacture of the graphene field-effect transistor in order to examine the change of its transport properties induced by doping of the graphene via low-energy electron beam exposition. | en |
| dc.description.mark | C | cs |
| dc.identifier.citation | VYSOCKÝ, F. Interakce pomalých elektronů s grafenovými polem řízenými tranzistory [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2019. | cs |
| dc.identifier.other | 117584 | cs |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11012/179133 | |
| dc.language.iso | cs | cs |
| dc.publisher | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství | cs |
| dc.rights | Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení | cs |
| dc.subject | Grafen | cs |
| dc.subject | CVD | cs |
| dc.subject | FET | cs |
| dc.subject | elektronový svazek | cs |
| dc.subject | dotování | cs |
| dc.subject | transportní vlastnosti | cs |
| dc.subject | Graphene | en |
| dc.subject | CVD | en |
| dc.subject | FET | en |
| dc.subject | electron beam | en |
| dc.subject | doping | en |
| dc.subject | transport properties | en |
| dc.title | Interakce pomalých elektronů s grafenovými polem řízenými tranzistory | cs |
| dc.title.alternative | Interaction of low-energy electrons with graphene field effect transistors | en |
| dc.type | Text | cs |
| dc.type.driver | masterThesis | en |
| dc.type.evskp | diplomová práce | cs |
| dcterms.dateAccepted | 2019-06-18 | cs |
| dcterms.modified | 2019-06-20-09:58:40 | cs |
| eprints.affiliatedInstitution.faculty | Fakulta strojního inženýrství | cs |
| sync.item.dbid | 117584 | en |
| sync.item.dbtype | ZP | en |
| sync.item.insts | 2025.03.27 08:49:06 | en |
| sync.item.modts | 2025.01.15 14:13:22 | en |
| thesis.discipline | Fyzikální inženýrství a nanotechnologie | cs |
| thesis.grantor | Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrství | cs |
| thesis.level | Inženýrský | cs |
| thesis.name | Ing. | cs |