Detekce UV záření pomocí Grafen/GaN struktur

Abstract

Tato bakalářská práce se zabývá výrobou a studiem UV senzoru založeného na strukturách galia nitridu na grafenovém substrátu. Senzor využívá vysokou pohyblivost nosičů náboje v grafenu a citlivost GaN nanokrystalů na UV záření. Tato kombinace se jeví jako vhodná pro oblast UV senzorů, protože využití schopností obou materiálů vede k vysoké citlivosti takto provedených senzorů. První část práce je věnována grafenu, nitridu galia a heterostruktuře grafen/GaN, jejich popisu a výrobě. Druhá část obsahuje proces výroby senzoru a popis jeho optických a elektrických vlastností při analýze metodou fotoluminiscence a transportních vlastností.This bachelor thesis covers fabrication as well as the study of behavior of UV sensor based on galium nitride structures on graphene substrate. The sensor takes advantage of high mobility of charge carriers in graphene and UV selective sensitivity of GaN nanoctystals. This combination exhibits a potential for being a UV sensor because of the unique properties brought by both materials. The first part of this work describes graphene, galium nitride and graphene/GaN heterostructure with their properties and fabrication processes. The second part includes full description of already used fabrication process and characterization of the optical and electrical behavior using photoluminiscence and transport properties measurements.