Korekce křivosti výstupního napětí BandGap reference
Loading...
Date
Authors
Žeravík, František
ORCID
Advisor
Referee
Mark
A
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Tato diplomová práce se zabývá návrhem BandGap referencí podle P. Brokawa, v jednoduchém CMOS procesu a příslušných kompenzačních obvodů pro korekci křivosti výstupního napětí. V teoretické části je kladen důraz především na popis teplotní závislosti napětí UBE bipolárního tranzistoru a pochopení principu elementární BandGap reference. V návaznosti na tyto poznatky je popsána funkce a návrh obou BandGap referencí pro výstupní napětí 1,5 V. V druhé části se práce zaměřuje na popis různých metod pro korekci křivosti výstupního napětí. Na základě těchto metod jsou následně navržené BandGap reference 1. řádu doplněny o kompenzační obvody. V závěru jsou shrnuty a porovnány výsledné parametry navržených BandGap referencí bez korekce a s kompenzačním obvodem.
This thesis deals with the design of a Brokaw BandGap reference, a BandGap reference in a simple CMOS process, as well as the respective compensation circuits for correcting the curvature of the output voltage. In the theoretical part, the emphasis is mainly on describing the temperature dependency of the UBE voltage of the bipolar transistor and understanding the principle of the elementary BandGap reference. Based on these findings, the function and design of both BandGap references for an output voltage of 1.5 V are described. In the second part, the thesis focuses on describing various methods for correcting the curvature of the output voltage. Based on these methods, the first-order BandGap references supplemented with compensation circuits are designed. In the conclusion, the resulting parameters of the designed BandGap references without correction and with a compensation circuit are summarized and compared.
This thesis deals with the design of a Brokaw BandGap reference, a BandGap reference in a simple CMOS process, as well as the respective compensation circuits for correcting the curvature of the output voltage. In the theoretical part, the emphasis is mainly on describing the temperature dependency of the UBE voltage of the bipolar transistor and understanding the principle of the elementary BandGap reference. Based on these findings, the function and design of both BandGap references for an output voltage of 1.5 V are described. In the second part, the thesis focuses on describing various methods for correcting the curvature of the output voltage. Based on these methods, the first-order BandGap references supplemented with compensation circuits are designed. In the conclusion, the resulting parameters of the designed BandGap references without correction and with a compensation circuit are summarized and compared.
Description
Citation
ŽERAVÍK, F. Korekce křivosti výstupního napětí BandGap reference [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2023.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
bez specializace
Comittee
doc. Ing. František Urban, CSc. (předseda)
prof. Ing. Jaroslav Boušek, CSc. (místopředseda)
prof. Ing. Vladislav Musil, CSc. (člen)
Ing. Vojtěch Dvořák, Ph.D. (člen)
Ing. Imrich Gablech, Ph.D. (člen)
Date of acceptance
2023-06-07
Defence
Student seznámil státní zkušební komisi s řešením své diplomové práce a zodpověděl otázky a připomínky oponenta. Dále odpověděl na otázky komise: Jsou výsledky ověřené i na vyrobeném zařízení nebo jsou jenom ověřené simulací?
Student odpověděl na přídavné otázky s využitím grafů z prezentace.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení