but.committee	prof. Ing. Jiří Švejcar, CSc. (předseda) prof. RNDr. Vladimír Čech, Ph.D. (člen) doc. RNDr. Jaroslav Pavlík, CSc. (člen) prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (člen) prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen)	cs
but.defence	Práce přispěla k rozšíření metod analýzy povrchů na ÚFI. Jejím přínosem je započítání procesů do úvah spojených s desorpcí atomů z povrchů pevných látek. Pro tyto účely doktorand vypracoval vlastní počítačový model.	cs
but.jazyk	čeština (Czech)
but.program	Fyzikální a materiálové inženýrství	cs
but.result	práce byla úspěšně obhájena	cs
dc.contributor.advisor	Dub, Petr	cs
dc.contributor.author	Potoček, Michal	cs
dc.contributor.referee	Čech, Vladimír	cs
dc.contributor.referee	Pavlík, Jaroslav	cs
dc.date.created	2011	cs
dc.description.abstract	Metoda termální desorpční spektroskopie (TDS) je obecná metoda pro povrchovou analýzu adsorbovaných molekul. Práce se v 1. kapitole zabývá teoretickými základy této metody a ukazuje princip desorpčního procesu ovlivněného podpovrchovou difuzí. Kapitola 2 se nejprve věnuje praktickému využití metody TDS při detekci povrchových molekul a určením vazebné energie. Experimenty byly zaměřeny na detekci povrchových adsorbantů a nečistot na povrchu desek Si. Druhá část této kapitoly se zabývá desorpcí atomů tenkých vrstev Ga a jejich podpovrchovou difuzi. Proces difuze Ga byl také pozorován hmotnostní spektrometrií sekundárních iontů (SIMS) a numericky simulován.	cs
dc.description.abstract	ermal desorption spectroscopy (TDS) is a common method for surface analysis of adsorbed molecules. In chapter 1 the work deals with the theoretical background of this method and shows the principles of a desorption process influenced by subsurface diffusion. Chapter 2 first shows application of TDS for detection of surface molecules and determination of binding energy.Experiments were mainly focused on ditermination of surface adsorbents and impurities on Si wafers. The second part of chapter 2 describes desorption of atoms of a Ga layer on Si surface and their subsurface diffusion. A Ga diffusion process was also observed by with secondary ion mass spectrometry (SIMS) and numerically simulated.	en
dc.description.mark	P	cs
dc.identifier.citation	POTOČEK, M. Metoda termální desorpční spektroskopie (TDS) a její aplikace pro výzkum povrchových procesů [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. 2011.	cs
dc.identifier.other	34477	cs
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11012/2262
dc.language.iso	cs	cs
dc.publisher	Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství	cs
dc.rights	Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení	cs
dc.subject	Termální desorpční splektroskopie	cs
dc.subject	TDS	cs
dc.subject	křemíkové desky	cs
dc.subject	H	cs
dc.subject	CO	cs
dc.subject	CO2	cs
dc.subject	Ga	cs
dc.subject	GaN	cs
dc.subject	podpovrchová difuze	cs
dc.subject	Thermal desorption spectroscopy	en
dc.subject	TDS	en
dc.subject	Si wafers	en
dc.subject	H	en
dc.subject	CO	en
dc.subject	CO2	en
dc.subject	Ga	en
dc.subject	GaN	en
dc.subject	subsurface diffusion	en
dc.title	Metoda termální desorpční spektroskopie (TDS) a její aplikace pro výzkum povrchových procesů	cs
dc.title.alternative	Thermal Desorption Spectroscopy (TDS) and its Application for Research of Surface Processes	en
dc.type	Text	cs
dc.type.driver	doctoralThesis	en
dc.type.evskp	dizertační práce	cs
dcterms.dateAccepted	2011-06-23	cs
dcterms.modified	2011-08-11-08:08:20	cs
eprints.affiliatedInstitution.faculty	Fakulta strojního inženýrství	cs
sync.item.dbid	34477	en
sync.item.dbtype	ZP	en
sync.item.insts	2025.03.27 13:34:35	en
sync.item.modts	2025.01.15 13:42:21	en
thesis.discipline	Fyzikální a materiálové inženýrství	cs
thesis.grantor	Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství. Ústav fyzikálního inženýrství	cs
thesis.level	Doktorský	cs
thesis.name	Ph.D.	cs

Metoda termální desorpční spektroskopie (TDS) a její aplikace pro výzkum povrchových procesů

Files

Original bundle

License bundle

Collections